晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會(huì)對晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率?；蛘呤褂醚b有單個(gè) C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。需要注意的是貼片振蕩器，圓柱諧振器，晶體諧振器三大類型溫度控制有所不同。

KOAN 晶振制造環(huán)節(jié)為什么要進(jìn)行老化？

首先，排除批量中非良好的晶體，可以降低諧振器參數(shù)隨時(shí)間而變化的動(dòng)態(tài)電容 C1 和動(dòng)態(tài)電感 L 的變化量；

其次，排除因污染引起的正老化漂移，金屬電極和封裝盒中殘留物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)總是使晶片的質(zhì)量增加，從而導(dǎo)致頻率逐漸下漂。因污染造成晶片的增減質(zhì)量，被稱為質(zhì)量遷移效應(yīng)，在振動(dòng)中，一般附著污染物和加工裂紋中的微粒會(huì)從晶片上遷移出來，因此污染會(huì)引起正老化漂移。在每個(gè)系列的規(guī)格書中，KOAN晶振有詳細(xì)的焊接溫度曲線圖供參考。

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