離子鍍：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)如圖4[離子鍍系統(tǒng)示意圖],將基片臺作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。正離子被基片臺負(fù)電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和亞離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強(qiáng)度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，并有很好的繞射性，可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。

我們需要看看工件夾具之類的東西，確保它是堅固的，并且它不會在加工過程中促進(jìn)諧波問題或振動。一般選用含有硫氯復(fù)合型添加劑的拉伸油，在保證極壓性能的同時避免工件出現(xiàn)毛刺、破損等問題。我們需要確保我們不會使用不必要的長工具，這些工具可以輕易轉(zhuǎn)向或增加喋喋不休的機(jī)會。在高速工藝中，我們需要確保使用質(zhì)量平衡的工具，該工具已根據(jù)所使用的編程RPM進(jìn)行評級。但如果上面提到的所有事情都很好，我們該怎么辦?

控制芯片：芯片疏散是產(chǎn)生良好表面光潔度的關(guān)鍵因素。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)?？刂菩酒赡苁悄鷳?yīng)該考慮的一件事。如果生產(chǎn)的切屑在加工過程中與工件接觸，或者如果您正在重新切削切屑，則很可能會以不良的方式影響您的表面光潔度?？紤]改變你正在使用的斷屑器風(fēng)格的可能性，以幫助分解芯片以便更好地控制。

所述指環(huán)扣還設(shè)置有上蓋11，所述上蓋11的上表面上設(shè)置有圖案，所述上蓋11的邊緣上設(shè)置有第二凸邊12，所述指環(huán)6的內(nèi)圈13上設(shè)置有第二內(nèi)軌14，所述第二凸邊12卡在第二內(nèi)軌14上，上蓋11通過第二凸邊12與第二內(nèi)軌14的配合，把上蓋11安裝在指環(huán)6上。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。優(yōu)選的第二凸邊12為階梯型凸邊，在使用的時候，使用者只需對指環(huán)6施力使指環(huán)6稍微變形，第二凸邊12便可與指環(huán)6相分離，實現(xiàn)上蓋11與指環(huán)6可拆卸連接，所述上蓋11不僅可用于遮蓋指環(huán)6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，還與指環(huán)6可拆卸連接，使用者可以根據(jù)自己的喜好更換上蓋11的圖案。