影響分子篩合成的因素有哪些呢?根據(jù)小編所了解，包括：分散劑、礦化劑、導向劑、堿金屬離子、合成工藝等，而影響因素多且各因素互相影響.要合成超細的ZSM-5納米沸石，需要系統(tǒng)地考察各合成條件和合成參數(shù)之間的影響并通過實驗優(yōu)化各個合成參數(shù)。

水熱合成法可以說是在沸石分子篩合成中相對比較常用且有效的途徑，深入研究分子篩水熱合成的主要困難是對分子篩的生成機理了解的還不夠清楚。但是，對于沸石分子篩的合成來說無論哪種生成機理，其晶化過程都要經(jīng)歷相同的基本步驟，比如說多硅酸鹽與鋁酸鹽的再聚合、分子篩成核、核生長、分子篩晶體的生長以及引起的二次成核。

分子篩技術原理和特性介紹

特性

設備規(guī)模：加工或合成氣1000～100000立方米/小時;

脫水精度：含水率(H2O)低于0.1ppm;

脫碳精度：二氧化碳(CO2)含量低于1ppm;

工作壓力：適宜壓力為0.5～15MPa;

用途：處理與處理、合成氣凈化等。

氣體分離

1.脫除水份(H2O)，配套管輸;

2.深度脫除水份(H2O)和二氧化碳(CO2)，配套LNG凈化裝置或深冷裝置;

3.合成氣深度脫除水份(H2O)和二氧化碳(CO2)，配套合成氨裝置;

4.合成氣深度脫除水份(H2O)和二氧化碳(CO2)，配套深冷分離裝置;

5.氫氣或深度脫除水份(H2O)和二氧化碳(CO2)，配套合成裝置。

分子篩的個作用是晶體的外表面吸附多種吸附物。對于分子篩的研究表明，其外表面提供了一個的被吸附的分子尺寸。如果被吸附物的分子超過該尺寸，就不能進入晶體內(nèi)部，只能被吸附在外表面。表面吸附作用(也發(fā)生在非結晶體的表面，如硅膠)，這是很弱的，而在晶體內(nèi)部有成千上萬的晶體空隙和槽，進一步吸附分子。

分子篩由硅、鋁和氧原子組成。這些分子的離子電荷在穩(wěn)定的晶體中加起來的總和應是零。為平衡正負負荷，加入鉀、鈉、鈣等正電荷離子。帶有正負離子的巨大的面被稱做吸附場。在吸附物與被吸附物之間有很強的吸引力，需要很大能量的(一般是熱能)才能消除吸引力，還原成篩子。隨著被吸附物的濃度增加，密度電荷場增強以至于幾乎沒有幾層被吸附分子存在。被吸附物接近滿負荷，孔被填滿，類似于毛細管冷凝。

分子篩主要是由氧化鈉(Na2O)、氧化鋁(A1203)和氧化硅(SiO2)組成的。一般分類根據(jù)分子篩中SiO2與Al2O3的摩爾數(shù)之比(即硅鋁比)確定。A型分子篩的硅鋁比為2，X型的硅鋁比為2.5，Y型的硅鋁比為5，絲光沸石的硅鋁比為10。一般情況下分子篩并非很純，所以硅鋁比在一定范圍內(nèi)變化，X型為2～3，Y型為3～6，絲光沸石為9～12。交換陽離子的能力主要取決于二氧化硅的含量。分子篩中的鈉離子被其它金屬離子所取代，也能改變分子篩的型號，例如，13X型分子篩中的鈉離子被鈣離子取代一部分后可變?yōu)?0X型分子篩;4A型分子篩中鈉離子被鈣取代后，可變?yōu)?A型分子篩。