PCB尺寸過(guò)大時(shí)，印制線條長(zhǎng)，阻抗增加，抗噪聲能力下降，成本也增加；過(guò)小則散熱不好，且鄰近線條易受干擾。電路板的形狀矩形，長(zhǎng)寬比為3：2或4：3，位于電路板邊緣的元器件，離電路板邊緣一般不小于2mm。(2) 放置器件時(shí)要考慮以后的焊接，不要太密集.(3) 以每個(gè)功能電路的核心元件為中心，圍繞它來(lái)進(jìn)行布局。元器件應(yīng)均勻、 整齊、緊湊地排列在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接, 去耦電容盡量靠近器件的VCC(4) 在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應(yīng)盡可能使元器件平行排列。這樣，不但美觀，而且裝焊容易，易于批量生產(chǎn)。


之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個(gè)可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書(shū)或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應(yīng)商送貨一至性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過(guò)不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。 22.電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡?wèn)題，優(yōu)先使用Mylar電容 。


有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對(duì)輻射影響也是很大的。 一個(gè)慘痛案例，一款過(guò)了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過(guò)層層排查、一個(gè)個(gè)元件對(duì)換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問(wèn)題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對(duì)不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測(cè)試VCC波形電壓有沒(méi)有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒(méi)那么全，有興趣的可以做個(gè)對(duì)比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。