利用壓控振蕩器來控制頻率

高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓, 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會加大, 兩導(dǎo)體面之距離一變長, 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會被提高. 反之, 降低逆向偏壓時, 二極管內(nèi)的電容變大, 頻率就會降低.

而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產(chǎn)生器。

壓控石英振蕩器用途

“壓控石英振蕩器（voltage-controlled crystal oscillator, VCXO）”通常被使用在下列場合：當(dāng)頻率需要在小范圍內(nèi)的調(diào)整時、當(dāng)正確的頻率或相位對于振蕩器而言是十分重要時、利用不同電壓來當(dāng)作控制源的振蕩器、用來分散在某個頻率范圍內(nèi)的干擾使該頻段不受到太大的影響。壓控石英振蕩器的典型頻率變化在數(shù)十個 ppm 之間，這是因為品質(zhì)高系數(shù)（Quality Factor, or Q Factor）的石英振蕩器只會產(chǎn)生少量的頻率范圍位移。

壓控振蕩器優(yōu)點

低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會結(jié)合PLL鎖相電路實現(xiàn)超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。