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硅膠真空鍍膜設備歡迎來電,拉奇納米

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發(fā)布時間:2020-10-06 18:04  






硅膠真空鍍膜設備

工藝特點

(1)廣泛應用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機涂層材料等。

(2)在產量方面,從單件到大批量皆可。

(3)有質量優(yōu)勢,沉積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時間成正比,均勻性,重復性好,臺階覆蓋性優(yōu)良。

(4)工具涂層的生產效率不如PVD,具體取決于特定技術要求和輔助工藝。

化學氣相沉積曾是真空技術廣泛用于陶瓷沉積的種技術,特別是對工具涂層更是這樣。



鍍膜機工藝在太陽能運用方面的運用當需求有用地運用太陽熱能時,就要思考選用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所導致的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。


涂層技術

增強型磁控陰極弧:陰極弧技術是在真空條件下,通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài),從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用,將靶材表面的電弧加以有效地控制,使材料的離化率更高,薄膜性能更加優(yōu)異。



過濾陰極?。哼^濾陰極電弧(FCA)配有的電磁過濾系統(tǒng),可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈,經過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%,并且可以過濾掉大顆粒,因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蝕性能好,與機體的結合力很強。


采用化學氣相沉積處理時,應注意以下問題:

(1)要考慮模具銳角部分的凸起變形

由于涂層與基體的線脹系數(shù)不同,模具棱角處容易產生應力集中,基材會被擠出形成凸起??梢圆扇〉慕鉀Q方法是:將銳角處加工成圓弧狀,或是估計凸起變形量的大小,預先加工成錐形。

(2)CVD沉積溫度高而帶來的尺寸和形狀變形

其變形程度取決于所選用的材料、形狀、沉積溫度、涂層厚度以及預備熱處理等。

在CVD處理過程中,尺寸變形小的材料是硬質合金及含Cr高的不銹鋼系合金;沖壓加工領域使用的模具材料主要限于合金工具鋼、冷作模具鋼(Cr12MoV)、硬質合金等,其中快冷淬透鋼,由于快冷時容易產生翹曲、扭曲等變形,所以不宜進行CVD處理;而高速鋼是熱處理膨脹較大的鋼種,使用時必須充分估計其膨脹變形量。




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