KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數(shù)介紹：帶內(nèi)波動(dòng)，阻帶寬度，阻帶衰耗，紋波

1) 帶內(nèi)波動(dòng)(Passband Riplpe)：通帶內(nèi)插入損耗隨頻率的變化量。

2) 阻帶寬度：相對(duì)衰耗等于和大于某規(guī)定值時(shí)的頻帶寬度（如 40dB、50dB、60dB、80dB 等）。

3) 阻帶衰耗：指整個(gè)阻帶內(nèi)的小衰耗值。

4) 紋波(Ripple)：指 1dB 或 3dB 帶寬(截止頻率)范圍內(nèi)，插損隨頻率在損耗均值曲線基礎(chǔ)上波動(dòng)的峰-峰值。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) ，EMI ： 和差分輸出晶振的共同目標(biāo)降低電磁干擾

電磁干擾被定義為當(dāng)一個(gè)設(shè)備的電磁場(chǎng)通過輻射和/或傳導(dǎo)路徑干擾,阻礙或降低另一個(gè)設(shè)備的電磁場(chǎng)時(shí)自然發(fā)生的現(xiàn)象.電磁干擾會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)或多個(gè)電子設(shè)備相互干擾,并影響它們的性能和操作。電磁干擾是對(duì)頻率源輻射能量的測(cè)量,通常在給定頻率下以 dBmV/m(分貝-伏特每米)為單位進(jìn)行測(cè)量.輻射能量越大,該參數(shù)越大.因此,頻率源發(fā)射的能量越多,產(chǎn)生的電場(chǎng)和電磁干擾就越大.定義電磁干擾測(cè)量的頻譜時(shí),需要區(qū)分峰值電磁輻射和平均電磁輻射.平均發(fā)射被定義為給定頻譜上的平均 dBmV/m 水平.峰值發(fā)射定義為給定頻譜內(nèi)任何頻率下的大dBmV/m 水平.

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傳統(tǒng)時(shí)鐘振蕩器的電磁波干擾現(xiàn)狀

傳統(tǒng)的非調(diào)制振蕩器以預(yù)期的輸出頻率產(chǎn)生輸出信號(hào).除了基頻發(fā)射的能量之外，在其諧波頻率上還有大量輻射電磁發(fā)射.這些類型的振蕩器還產(chǎn)生頻率略低于和高于預(yù)期輸出的電信號(hào),并在頻譜上輻射電磁波.頻譜范圍取決于振蕩器的機(jī)械和電氣設(shè)計(jì),電源調(diào)節(jié),輸出端接和印刷電路板布局.高速頻率源,如時(shí)鐘振蕩器,鎖相環(huán)(鎖相環(huán))合成器和其他類型的時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生裝置,是電子電路中電磁干擾的主要來源.減少電磁干擾的傳統(tǒng)印刷電路板設(shè)計(jì)和制造方法包括多個(gè)接地層和電源層,分立元件濾波(抑制)和外殼屏蔽(密封).雖然這些減少電磁干擾的方法是有效的,但它們會(huì)對(duì)整體產(chǎn)品成本產(chǎn)生重大影響。

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