電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場(chǎng)：

A 級(jí)：

背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等

1、   色差片是怎樣產(chǎn)生的？

這與化學(xué)氣相沉淀時(shí)間有關(guān)，時(shí)間長(zhǎng)會(huì)發(fā)白，時(shí)間短會(huì)發(fā)黃

2、   光面片是怎樣產(chǎn)生的？

首先是因?yàn)槠颖旧砭褪枪饷嫫?，其次就是在腐蝕中加入 NaOH 量過多

3、   光外形片是怎樣產(chǎn)生的？

單測(cè)單包（前道絲印也要單獨(dú)挑出，選擇合適的網(wǎng)板印制）

4、   絨面色斑是怎么來的？

一方面是硅片的表面存在一定的臟污在制絨時(shí)沒有清洗干凈，另一方面是我們的工藝衛(wèi)生到位，手指印、吸盤印、化學(xué)品沒有處理干凈

5、   對(duì)未燒透的片子怎么處理？

硅片與硅片之間存在一定的厚度，如果在做薄片中間夾著厚片就會(huì)燒不透，燒結(jié)的溫度低了

電池片的制作工藝

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

電池片常見異常情況處理方法

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

四、 鋁珠：

鋁珠產(chǎn)生的根本原因是過燒，鋁的熔點(diǎn)是660℃，當(dāng)鋁受熱超過這一溫度時(shí)，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結(jié)爐的設(shè)置溫度都遠(yuǎn)高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實(shí)際感受的溫度，設(shè)置的溫度雖高，由于燒結(jié)爐帶速很快，鋁層實(shí)際感受到的溫度是遠(yuǎn)低于設(shè)置溫度的。

解決這一問題的辦法是降下燒結(jié)區(qū)溫度，或是加快燒結(jié)爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會(huì)損失電池片的電性能數(shù)據(jù)，那么降到什么程度呢，我們的經(jīng)驗(yàn)是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

五、 鋁刺：

1、 背場(chǎng)印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；

2、 燒結(jié)網(wǎng)帶不潔凈：清洗網(wǎng)帶或?qū)ν鼛нM(jìn)行打磨；

3、 燒結(jié)網(wǎng)帶抖動(dòng)嚴(yán)重：由設(shè)備人員來調(diào)整網(wǎng)帶；

4、 燒結(jié)溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結(jié)溫度；