電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

五、絨面色素斑（水跡印、未制絨、未鍍一層薄薄的膜、手指頭印、黑斑等）

A級(jí) 

變動(dòng)前：容許有輕度缺點(diǎn)，缺點(diǎn)一部分的占地面積不超出電池片占地面積的10%，數(shù)量不超出3個(gè)。A級(jí)目前變動(dòng)后：把絨面色素斑分為二種種類(lèi)：泛白色素斑和淺藍(lán)色斑 

（1）泛白色素斑 

因?yàn)榇嬗猩钏{(lán)色到乳白色的跳色，故A級(jí)片絨面色素斑中不允許有泛白色素斑，缺點(diǎn)占地面積占電池片占地面積的0—30%，數(shù)量不超出5個(gè)，合乎此規(guī)范的均判為B級(jí)。 

（2）淺藍(lán)色斑 

淺藍(lán)色斑的B級(jí)判斷規(guī)范不會(huì)改變新的規(guī)范：色素斑一部分的色調(diào)和該電池片上別的地域的色調(diào)不容許跳色，應(yīng)是相仿色，即深藍(lán)色和暗藍(lán)色（或深藍(lán)色和淺藍(lán)色）存有于單個(gè)充電電池上，總數(shù)和總面積均不分。 

B級(jí) 

容許有不顯著缺點(diǎn)，缺點(diǎn)占地面積不超出電池片占地面積的30%，數(shù)量不超出5個(gè)。新的規(guī)范：容許有輕微色素斑、閃光點(diǎn)、容許跳1個(gè)相仿色，單個(gè)充電電池上只容許存有3顏色（比如深藍(lán)色—乳白色，深藍(lán)色—鮮紅色），色素斑一部分的占地面積不超出電池片占地面積的10%，數(shù)量不超出5個(gè)。

C級(jí) 

缺點(diǎn)占地面積不超出電池片占地面積的30%，或是數(shù)量不超出5個(gè)。注徹底沒(méi)有鍍一層薄薄的膜的影片夜稱(chēng)C級(jí)退級(jí)片。新的規(guī)范：色素斑一部分的占地面積超出電池片占地面積的10%，或是總數(shù)5個(gè)。

電池片的檢驗(yàn)

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級(jí)：主柵線容許有輕度斷開(kāi)、缺少、歪曲、突顯，斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱(chēng)，不容許有斷開(kāi)，缺少、歪曲及其突顯。 

B級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱(chēng)，容許有斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級(jí)：副柵線容許大小不勻稱(chēng)，存有總寬超過(guò)0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開(kāi)，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點(diǎn)；不容許有掉色狀況。 

B級(jí)：容許大小不勻稱(chēng)，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的10%. 

電池片流程

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電池片流程

1、   車(chē)間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽(yáng)能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來(lái)料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問(wèn)題制絨過(guò)程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。