電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

擴(kuò)散工藝

擴(kuò)散目的

在來(lái)料硅片 P 型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層 N 型磷源，形成 PN 結(jié)。

擴(kuò)散原理

POCl 3 在高溫下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反應(yīng)式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng) ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反應(yīng)式如下 ：

2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2   4PPOCl 3

熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái)的氧（ O 2 ）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來(lái) O2 存在的情況下， PCl 5 會(huì)進(jìn)一步分解成 P2O 5 并放出氯氣（ Cl 2 ）其反應(yīng)式如下：  

4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可見(jiàn)，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。就這樣 POCl 3 分解產(chǎn)生的 P 2 O 5 淀積在硅片表面， P 2O 5 與硅反應(yīng)生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。

晶硅太陽(yáng)能電池板的制作過(guò)程

晶硅太陽(yáng)能光伏板的制做全過(guò)程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)加工全過(guò)程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過(guò)程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過(guò)多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會(huì)深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過(guò)程中，即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)電池附近的夾雜硅開(kāi)展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開(kāi)轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來(lái)波導(dǎo)管。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

擴(kuò)散制結(jié)： 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的 PN 結(jié)以實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化， 而擴(kuò)散爐就是制造太陽(yáng)能電池P-N 結(jié)的專用設(shè)備。擴(kuò)散用三氯氧磷為擴(kuò)散源。在 830 度的高溫下用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜鳎ㄟ^(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷離子，通過(guò)硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴(kuò)散，形成 P-N 結(jié)。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片， 擴(kuò)散面需跟制絨面在同一面上，擴(kuò)散為單面擴(kuò)散，工藝流程為 83 分鐘。

濕法刻蝕： 利用 HNO3 和 HF 的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕 , 去除邊緣的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互絕緣。

需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ，目前采用濕法，刻蝕后需做親水性測(cè)試。

如何判斷親水性是否良好？

用純水滴在硅片上看硅片上的擴(kuò)散面積。機(jī)械臂流片需要返工因臭氧層丟失。

PEVCD:   鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片，流程為 50 分鐘， 在此階段會(huì)發(fā)生色斑，色差等問(wèn)題。

絲網(wǎng)印刷 ： 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進(jìn)行印刷   ， 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成  ， 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面，漿料在刮刀的擠壓下穿過(guò)絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔  ， 只有圖像部分能穿過(guò)，印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場(chǎng)——正電極。

需注意 ： 斷柵 問(wèn)題會(huì)出現(xiàn)在此工藝段。也是電池片的后一大工藝段。