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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司

多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。目前來說,別墅、聯排、邊遠地區(qū)和農村等獨門獨戶的房屋比較適合分布式光伏發(fā)電項目。



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據報道,在50~60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率超過17%,無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%,采用埋柵結構,機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達到15.8%。冶金法在為太陽能光伏發(fā)電產業(yè)服務上,存在成本低、能耗低、產出率高、投資門檻低等優(yōu)勢,通過發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術,可使純度達到6N以上,并在若干年內逐步發(fā)展成為太陽能級多晶硅的主流制備技術。


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對繼電保護的影響。中國的配電網大多為單電源狀結構,多采用速斷、限時速斷保護形式,不具備方向性。多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。在配電網中接入分布式電源后,其注入功率會使繼電保護范圍縮小,不能可靠地保護整體線路,甚至在其他并聯分支故障時,引起安裝分布式光伏的繼電保護誤動作。
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