電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

九、崩邊、豁口、掉角 

充電電池邊沿崩邊喝豁口 

A級(jí)：其長短≤3mm，深度1≤0.5mm，總數(shù)≤2處 

B級(jí)：其長短≤5mm，深度1≤1.0mm，總數(shù)≤3處 

四邊豁口 

A級(jí)：規(guī)格≤1.5*1.5mm，總數(shù)≤1處 

B級(jí)：規(guī)格≤2.0*2.0mm，總數(shù)≤1處 

注：多晶硅A級(jí)和B級(jí)均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過電級(jí)(主柵線，副柵線) 

超出B級(jí)范疇 

多晶硅電池片超出了B級(jí)范疇，就立即做為缺點(diǎn)片。 

多晶電池片超出了B級(jí)范疇，如合乎C級(jí)需切角片的規(guī)定，能作C級(jí)需切角片多

經(jīng)容許邊緣有豁口（包含三邊形豁口和銳利行豁口），對(duì)邊緣豁口聽規(guī)定給出 

125任意邊緣破損≤18*18mm 

150任意邊緣破損≤8*8mm 

156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過了C級(jí)片的規(guī)定，做為缺點(diǎn)片。徹底粉碎，無運(yùn)用使用價(jià)值的做為報(bào)費(fèi)片新的規(guī)范與舊的同樣。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

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7、迅速煅燒 

歷經(jīng)油墨印刷后的硅片，不可以立即應(yīng)用，須經(jīng)燒結(jié)爐迅速煅燒，將有機(jī)化學(xué)環(huán)氧樹脂黏合劑點(diǎn)燃掉，剩余基本上純碎的、因?yàn)椴Ａз|(zhì)功效而密合在硅片上的銀電級(jí)。當(dāng)銀電級(jí)和結(jié)晶硅在溫度超過共晶溫度時(shí)，結(jié)晶硅分子以必須的占比融進(jìn)到熔化的銀金屬電極中來，進(jìn)而產(chǎn)生上下左右電級(jí)的歐姆接觸，提升電池片的開路電壓和填充因子2個(gè)重要主要參數(shù)，使其具備電阻器特點(diǎn)，以提升電池片的變換。燒結(jié)爐分成預(yù)煅燒、煅燒、減溫水冷卻3個(gè)環(huán)節(jié)。預(yù)煅燒環(huán)節(jié)目地是使料漿中的高分子材料黏合劑溶解、點(diǎn)燃掉，此環(huán)節(jié)溫度漸漸地升高；煅燒環(huán)節(jié)中煅燒身體進(jìn)行各種各樣物理學(xué)反映，產(chǎn)生電阻器膜結(jié)構(gòu)工程，使其真實(shí)具備電阻器特點(diǎn)，該環(huán)節(jié)溫度超過谷值；減溫水冷卻環(huán)節(jié)，夾層玻璃水冷卻硬底化并凝結(jié)，使電阻器膜結(jié)構(gòu)工程固定不動(dòng)地黏附于基片上。

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