目前市場主流常規(guī)水平式蝕刻機(jī)，在板子雙面同時(shí)噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會(huì)形成蝕刻液的“水池”，嚴(yán)重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機(jī)的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達(dá)到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強(qiáng)大的核心競爭力！

什么是蝕刻機(jī)

或許在很多人看來，刻蝕技術(shù)并不如光刻機(jī)那般“”，但刻蝕在芯片的加工和生產(chǎn)過程中同樣不可或缺。刻蝕機(jī)主要工作是按照前段光刻機(jī)“描繪”出來的線路來對(duì)晶片進(jìn)行更深入的微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔，然后除去表面的光刻膠，從而形成刻蝕線路圖案。

在芯片制造領(lǐng)域，光刻機(jī)像是前端，而蝕刻機(jī)就是后端。光刻機(jī)的作用是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上，而蝕刻機(jī)的作用就是按照光刻機(jī)描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。兩者一個(gè)是設(shè)計(jì)者，一個(gè)是執(zhí)行者，整個(gè)芯片生產(chǎn)過程中，需要重復(fù)使用兩種設(shè)備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。

目前，我國在蝕刻機(jī)領(lǐng)域已達(dá)到世界先進(jìn)水平，尤其是中微半導(dǎo)體成功突破研制的5nm蝕刻機(jī)已于其它企業(yè)，而且得到了臺(tái)積電的驗(yàn)證。真正面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，也是被卡脖子的領(lǐng)域是光刻機(jī)。不過日前中科院院長白春禮表示，已將光刻機(jī)等技術(shù)難度較高的產(chǎn)品列入科研清單，未來將集中力量對(duì)這些“卡脖子”的技術(shù)進(jìn)行攻關(guān)。相信未來光刻機(jī)技術(shù)也會(huì)實(shí)現(xiàn)重大突破。

蝕刻機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

這倆設(shè)備非常簡單的表述便是光刻機(jī)把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機(jī)再把剛剛畫了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什么難的，可是有一個(gè)品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。 光刻的全過程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線＜深紫外線＜極紫外線)通過掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒有陽光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。 蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說白了，濕刻便是全過程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液，除去不用的硅圓一部分。