利用壓控振蕩器來(lái)控制頻率

高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓, 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會(huì)加大, 兩導(dǎo)體面之距離一變長(zhǎng), 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會(huì)被提高. 反之, 降低逆向偏壓時(shí), 二極管內(nèi)的電容變大, 頻率就會(huì)降低.

而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對(duì)電容的充電速率為手段來(lái)得到一個(gè)電壓控制的電流源。參見(jiàn)波型產(chǎn)生器。

壓控振蕩器的性能參數(shù)

VCO的關(guān)鍵性能參數(shù)是調(diào)諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負(fù)載阻抗。其次要性能參數(shù)包括電源電壓、電源電流、調(diào)諧靈敏度、推頻、牽引、調(diào)諧端口電容和機(jī)械事項(xiàng)。調(diào)諧靈敏度用于說(shuō)明調(diào)諧電壓（MHz/V）變化引起的輸出頻率變化。值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調(diào)諧電壓之間存在關(guān)系，但是不一定存在線性關(guān)系。

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壓控振蕩器優(yōu)點(diǎn)

低相位噪聲：高頻低抖動(dòng)的LVDS輸出壓控晶振，抖動(dòng)小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達(dá)到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會(huì)結(jié)合PLL鎖相電路實(shí)現(xiàn)超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。

1. 中心頻率指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達(dá)到245.0MHz，LVDS可達(dá)到2.1GHz, HCSL可達(dá)到700MHz。

2. 輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS, LVDS, HCSL, True Sine都有不同的波形特征以及用途。

3. 工作電壓可根據(jù)具體型號(hào)選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應(yīng)用較為廣泛。

4. 壓控范圍通過(guò)調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位為ppm，范圍一般為±50~200ppm。

5. 頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對(duì)標(biāo)稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬(wàn)分之一即ppm。

6. 工作溫度工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)-40~85℃。特殊應(yīng)用會(huì)對(duì)溫度有更高的要求。