電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場(chǎng)：

A 級(jí)：

背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。

一14、漏漿

A級(jí)： 漏漿單獨(dú)總面積低于0.5*0.5mm，總數(shù)低于3個(gè) 

B級(jí)：跑模單獨(dú)總面積低于1。0*1.0mm總數(shù)不分

C級(jí)：跑模單獨(dú)總面積低于1。0*2。0mm總數(shù)不分 

缺點(diǎn)/報(bào)廢片： 

超過C級(jí)片的規(guī)定為缺點(diǎn)片，超過缺點(diǎn)片規(guī)定的為報(bào)費(fèi)片。 

注：（1）在一切正常包裝印刷圖型處時(shí)，依照“包裝印刷圖型”要求分辨，沒有包裝印刷圖型處時(shí)依照以上要求辨別。 

（2）跑模在背靜電場(chǎng)或背電級(jí)時(shí)，依據(jù)鋁苞要求分辨

（3）跑模在側(cè)邊時(shí)，假如影象電池片電氣性能和外型時(shí)，則返修后再次歸類檢驗(yàn)，隨后再次判斷，假如不危害電池片電氣性能和外型的時(shí)候一切正常排出 

（4）硅晶掉下來按跑?？偯娣e判斷新的規(guī)范：與舊的規(guī)范同樣側(cè)邊漏漿片做打磨拋光片解決打磨拋光片處理過程非鋁苞片：一概出口（不 Rsh≥6）零頭和滿包全入出口貨位備注名稱：DM選用黃標(biāo)識(shí)鋁苞片：暫未作自購(gòu)片待產(chǎn)品研發(fā)作部件實(shí)驗(yàn)（ Rsh≥6）零頭入鋁苞零頭貨位滿包入鋁苞滿包貨位備注名稱：DM LB選用白標(biāo)識(shí)

電池片的制作工藝

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽(yáng)能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來料檢測(cè)，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會(huì)厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會(huì)影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。