IGBT的驅(qū)動電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。L9110是為控制和驅(qū)動電機(jī)設(shè)計的兩通道推挽來式功率放大專用集成電路器件，將自分立電路集成在單片IC之中，使外圍器件成本降低，整機(jī)可靠性提高。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。百即使單片度機(jī)可以輸出直流信號，但是它問的驅(qū)動能力也是有限的，所以單片機(jī)一般做驅(qū)動答信號，驅(qū)動大的功率管，來產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動電機(jī)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

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此外,在畫質(zhì)主要表現(xiàn)上,低更亮可靠性一直是修羅神欣賞間距與顯示信息實(shí)際效果的重要,單一色調(diào)均值恒流電源驅(qū)動器至少能致15uA,灰度級數(shù)可做到16bit,使顯示信息界面的飽和度與勻稱性更為細(xì)致,另外也可以做到環(huán)保節(jié)能低能耗的實(shí)際效果。

蜂鳴器驅(qū)動IC產(chǎn)品特點(diǎn)

特性1　內(nèi)嵌了電荷泵電源電路，能開展6擋音量調(diào)節(jié)

NJU72501內(nèi)嵌有電荷泵電源電路，以3VP-P震幅鍵入的工作電壓可以較大擴(kuò)大到18VP-P來驅(qū)動器IC。

內(nèi)嵌的電荷泵電源電路由邏輯性數(shù)據(jù)信號操縱可以轉(zhuǎn)換變壓倍率為1倍、2倍、3倍。因而，在單端輸出時，可以以3擋調(diào)整聲音；在BTL輸出時，可以以6擋調(diào)整聲音。

特性2　關(guān)機(jī)作用可以降低耗費(fèi)電流量

NJU72501常備關(guān)機(jī)作用，當(dāng)無鍵入數(shù)據(jù)信號時，此作用將終止內(nèi)部電源電路工作中來提升效益電流量。因而，有益于增加機(jī)器設(shè)備的電池驅(qū)動時間。