全自動軟化水處理設(shè)備慢沖洗

全自動軟化水處理設(shè)備慢沖洗(置換)：在用鹽水流過樹脂以后，用原水以同樣的流速慢慢將樹脂中的鹽全部沖洗干凈的過程叫慢沖洗，由于這個沖洗過程中仍有大量的功能基團(tuán)上的鈣（Ca)鎂(化學(xué)式Mg)離子被鈉(Sodium)離子交換，根據(jù)實際經(jīng)驗（experience)，這個過程中是再生的主要過程，所以很多人將這個過程稱作置換。磁鐵不能用在強(qiáng)震動或強(qiáng)磁場(定義:傳遞實物間磁力作用的場)等環(huán)境中。這個過程一般與吸鹽的時間相同，即30分鐘左右。

軟化水處理樹脂一般均在常溫下再生

軟化水處理樹脂一般均在常溫下再生。陰樹脂再生時，所用再生液的溫度（temperature)和再生時間，對再生程度的影響要比陽樹脂大。任何以鈉(Sodium)離子(由鈉原子失去外層的一個電子得到的)交換為基礎(chǔ)的軟化水設(shè)備都是在這五個流程的基礎(chǔ)上發(fā)展來的(其中，全自動軟化水處理設(shè)備會增加鹽水重注過程)。當(dāng)原水中Si02 <ΣA<10%，加熱堿液不經(jīng)濟(jì)Si02 <ΣA比值（兩數(shù)相比所得的值)升高時，加熱堿液除硅(silicon)效果明顯提高。陰離子交換樹脂提高再生液的溫度可以改善對硅(silicon)酸的再生效果和縮短再生時間，但溫度太高易使樹脂的交換基團(tuán)分解，影響其交換容量的使用周期(lifetime)。實踐證明，再生和清洗的溫度對于工型強(qiáng)堿性陰樹脂為35~50℃ II型為(35士3)℃在動態(tài)陰離子交換過程中，HSiO-3在樹脂層中的分布情況與其他陰離子有些不同。HSiO-3雖然主要是被下層的陰樹脂吸附著，但就是在上層的樹脂中也有少量吸附。同理，再生時，樹脂軟化水設(shè)備中硅(silicon)酸氫(Hydrogen)根被置換出來的速度也就比較緩慢。堿液不加熱要增加再生劑的耗量。

我國電子工業(yè)部電子級水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

超純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

我國電子工業(yè)部電子級水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標(biāo)準(zhǔn))、我國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、美國半導(dǎo)體(semiconductor)工業(yè)用純水指標(biāo)（target aim)、國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。鍋爐是發(fā)展經(jīng)濟(jì)，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、提高人們生活品位和質(zhì)量必不可少的軟化水處理設(shè)備，管理不善就會使鍋爐的使用周期縮短，能耗上升，發(fā)生事故，增加維修費用，生產(chǎn)和供暖得不到保障。純水設(shè)備采用先進(jìn)的反滲透膜元件、壓力容器、高壓泵、配以合理而又的前處理設(shè)備及后處理精脫鹽設(shè)備。源水→源水泵→機(jī)械過濾器→活性炭過濾器→精密過濾器→一級反滲透膜→二級反滲透膜→TOC脫出器→EDI系統(tǒng)·低壓開關(guān)保護(hù)高壓泵不會因供水停止而損壞。