電池片的制作工藝

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影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過(guò)大，超過(guò) 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過(guò)高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

太陽(yáng)電池片標(biāo)準(zhǔn)

太陽(yáng)電池片標(biāo)準(zhǔn)

4.1.6 外觀

電池的顏色應(yīng)均勻一致，無(wú)明顯的色差、水痕、手印等外觀缺陷。

電池的崩邊、鈍性缺口等外形缺損的尺寸要求：長(zhǎng)度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的深度不大于0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過(guò)三處。同時(shí)不允許電池上有肉眼可見(jiàn)的裂紋以及 V 形缺口。

4.2 力學(xué)性能

4.2.1   彎曲變形

一般情況下，電池的彎曲變形用電池的彎曲度來(lái)衡量。不同尺寸規(guī)格的電池允許的大彎曲度應(yīng)在產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。

4.2.2 電極附著強(qiáng)度或電極 / 焊點(diǎn)的抗拉強(qiáng)度

電極附著應(yīng)牢固，電極附著強(qiáng)度或電極 / 焊點(diǎn)的抗拉強(qiáng)度不小于1.22N/mm. 。

4.3 電性能

4.3.1   電性能參數(shù)的溫度系數(shù)

應(yīng)按照電池使用要求的溫度范圍，測(cè)量其電性能參數(shù)的溫度系數(shù)。

4.3.2   電性能參數(shù)

電池電性能參數(shù)（包括低輻照度性能）應(yīng)在產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。

4.4 熱循環(huán)試驗(yàn)

經(jīng) -40 °～ 85 °溫度循環(huán) 5 次后，電池的外觀，力學(xué)性能符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求，電池的轉(zhuǎn)換效率衰減不超過(guò) 3% 。