晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過(guò)大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN 圓柱晶體 （kHz & MHz ）修改彎曲引腳注意事項(xiàng)

在修改彎曲引腳時(shí)，應(yīng)該避免強(qiáng)制拔出。否則會(huì)引起 4.玻璃珠的裂掉，因而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度下降，從而影響產(chǎn)品的特性。正確做法是：壓住外殼基測(cè)的引腳，從上下方壓住彎曲的部位進(jìn)行修改。在彎曲引腳時(shí)，引腳要留下距離外殼 0.5mm 的直線部位。如果不留出，將會(huì)導(dǎo)致玻璃珠的裂掉。KOAN晶振的儲(chǔ)存環(huán)境時(shí)間標(biāo)準(zhǔn)KOAN頻率器件儲(chǔ)存在-30℃--- 70℃，相對(duì)濕度不大于80%，周圍空氣無(wú)酸，堿性及其他有害物質(zhì)環(huán)境中。在引腳焊接完畢之后再將引腳彎曲時(shí)，需要留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分

晶體諧振器

石英晶體在電路中用作時(shí)間或者頻率基準(zhǔn)源，堪稱設(shè)備心臟。決定著電子設(shè)備的性能穩(wěn)定性。 主要性能指標(biāo)有： 靜電容(晶體端之間的電容)； 動(dòng)態(tài)電容 (振動(dòng)彈力)； 動(dòng)態(tài)電感 (振動(dòng)質(zhì)量)； 串聯(lián)電阻(能耗)； Q值(諧振電路品質(zhì))； (負(fù)載電容)； -R(負(fù)電阻特性)；在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。 DLD(激勵(lì)功率變化引起阻抗變量)； 調(diào)整頻差； 溫度頻差。KOAN晶振側(cè)重供應(yīng)工業(yè)設(shè)備，精密儀表，研究所，軍事，航天領(lǐng)域。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

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