材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。與傳統(tǒng)金屬封裝材料相比，它們主要有以下優(yōu)點(diǎn)：①可以通過改變?cè)鰪?qiáng)體的種類、體積分?jǐn)?shù)、排列方式或改變基體合金，改變材料的熱物理性能，滿足封裝熱耗散的要求，甚至簡(jiǎn)化封裝的設(shè)計(jì);②材料制造靈活，價(jià)格不斷降低，特別是可直接成形，避免了昂貴的加工費(fèi)用和加工造成的材料損耗；金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

 金屬封裝外殼編程囊括了加工的工序設(shè)定、刀具選擇，轉(zhuǎn)速設(shè)定，刀具每次進(jìn)給的距離等等。此外，不同產(chǎn)品的裝夾方式不同，在加工前要設(shè)計(jì)好夾具，部分結(jié)構(gòu)復(fù)雜產(chǎn)品需要做專門的夾具.為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計(jì)者可以用幾個(gè)較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。退火的純銅由于機(jī)械性能差，很少使用。金屬封裝外殼編程囊括了加工的工序設(shè)定、刀具選擇，轉(zhuǎn)速設(shè)定，刀具每次進(jìn)給的距離等等。加工硬化的純銅雖然有較高的屈服強(qiáng)度，但在外殼制造或密封時(shí)不高的溫度就會(huì)使它退火軟化，在進(jìn)行機(jī)械沖擊或恒定加速度試驗(yàn)時(shí)造成外殼底部變形。傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。金屬封裝材料為實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片支撐、電連接、熱耗散、機(jī)械和環(huán)境的保護(hù)，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

所述退火的時(shí)間為390?450秒；所述退火的溫度為780?825°C。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：改進(jìn)了引線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使得內(nèi)部電路空間增大，增加了熱量流通的空間，且使用 金屬銅外殼，具有更強(qiáng)的散熱性能，外殼采用10#鋼作為基材，大大提高了外殼的抗壓、抗 拉強(qiáng)度，保護(hù)性能提升。1．3鋼10號(hào)鋼熱導(dǎo)率為49．8W(m-1K-1)，大約是可伐合金的三倍，它的CTE為12．6×10-6K-1，與陶瓷和半導(dǎo)體的CTE失配，可與軟玻璃實(shí)現(xiàn)壓縮封接。底板采用無氧銅，提升了外殼的散熱性能。