傳統(tǒng)金屬表面處理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。因?yàn)镃u-Mo和Cu-W中間不混溶或浸潤(rùn)性偏差，更何況二者的溶點(diǎn)相距挺大，給材料制取產(chǎn)生了一些難題。金屬封裝材料為實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片支撐、電連接、熱耗散、機(jī)械和環(huán)境的保護(hù)，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；不少低密度、的金屬基復(fù)合材料非常適合航空、航天用途。金屬基復(fù)合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復(fù)合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復(fù)合材料。金屬封裝外殼壓鑄成型工藝：全壓鑄的工藝和塑料制品的生產(chǎn)流程十分相似，都是利用精密模具進(jìn)行加工，只是材質(zhì)由塑料改成了融化的金屬；CNC與壓鑄結(jié)合工藝；

 與傳統(tǒng)金屬封裝材料相比，它們主要有以下優(yōu)點(diǎn)：①可以通過(guò)改變?cè)鰪?qiáng)體的種類(lèi)、體積分?jǐn)?shù)、排列方式或改變基體合金，改變材料的熱物理性能，滿足封裝熱耗散的要求，甚至簡(jiǎn)化封裝的設(shè)計(jì);②材料制造靈活，價(jià)格不斷降低，特別是可直接成形，避免了昂貴的加工費(fèi)用和加工造成的材料損耗；Cu基復(fù)合材料純銅具有較低的退火點(diǎn)，它制成的底座出現(xiàn)軟化可以導(dǎo)致芯片和／或基板開(kāi)裂。為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計(jì)者可以用幾個(gè)較小的基板來(lái)代替單一的大基板，分開(kāi)布線。為了提高銅的退火點(diǎn)，可以在銅中加入少量Al2O3、鋯、銀、硅。這些物質(zhì)可以使無(wú)氧高導(dǎo)銅的退火點(diǎn)從320℃升高到400℃，而熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率損失不大。因而用碳纖維(石墨纖維)增強(qiáng)的銅基復(fù)合材料在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域很有吸引力。與銅復(fù)合的材料沿碳纖維長(zhǎng)度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長(zhǎng)度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長(zhǎng)度方向的熱導(dǎo)率至少低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

金屬表面發(fā)黑處理的方法與流程

背景技術(shù)：

腐蝕是金屬制品損壞的主要原因之一，而金屬正是很多機(jī)械備件的主要構(gòu)成材料，因此針對(duì)金屬制品易被腐蝕的特點(diǎn)，要采取專(zhuān)門(mén)的防腐措施，適當(dāng)有效的防止金屬的化工腐蝕。常用的金屬防腐蝕方法包括：

金屬防腐的結(jié)構(gòu)改變法：

金屬防腐的常見(jiàn)辦法之一是改變金屬的結(jié)構(gòu)。金屬的種類(lèi)很多，一些重金屬的化學(xué)活性低.