佛山市錦城鍍膜有限公司以耐高溫車輛燈具注塑 鍍膜為主的專業(yè)生產(chǎn)廠家，公司秉承“以質(zhì)取勝，求真務(wù)實(shí)，顧客至上”理念，歡迎廣大客戶光臨了解,我們將為你的產(chǎn)品錦上添花.

真空鍍膜之多弧離子鍍 ：

電弧電流一般為幾安至幾百安,工作電壓為10-25V,這時(shí)陰極表面的全部電流集中在一個(gè)或多個(gè)很小的部位 , 形成明亮的陰極弧斑 , 陰極弧斑的直徑為0.01-100um, 并以高達(dá)100m/s的速度在陰極靶表面隨機(jī)運(yùn)動(dòng) , 也可以利用磁場(chǎng)控制陰極弧斑的運(yùn)動(dòng)。在陰極弧斑的前方是高密度的金屬等離子體, 由于電子向陽極快速移動(dòng)而使陰極斑點(diǎn)前方出現(xiàn)離子堆積即形成正空間電荷 , 從而在陰極附近形成極強(qiáng)的電場(chǎng), 導(dǎo)致場(chǎng)電子發(fā)射以維持弧光放電。濺射的工件為陽極，靶為陰極，利用原子的濺射作用把靶材原子擊出而沉積在工件表面上，沉積原子的能量由被濺射原子的能量分布決定。

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鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響：

金屬過渡層：過渡層能有效的減小膜-基或不同鍍層間因材料熱膨脹系數(shù)等物理性能不同而形成的應(yīng)力，提高結(jié)合力，但是金屬過渡層太厚容易引起基體軟化，結(jié)合力反而會(huì)變差。

鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時(shí)與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時(shí)等離子體密度也減弱，動(dòng)能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

靶功率；磁控濺射本身粒子初始動(dòng)能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時(shí)工件溫升也大，過高的功率會(huì)使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴(kuò)散，易形成陰影效應(yīng)，膜層會(huì)比較疏松，應(yīng)力較大。普通真空鍍膜時(shí)，蒸發(fā)料粒子大約只以一個(gè)電子伏特的能量向工件表面蒸鍍，在工件表面與鍍層之間，形成的界面擴(kuò)散深度通常僅為幾百個(gè)埃（10000埃=1微米=0。

真空鍍膜的形式：蒸發(fā)鍍膜

工藝原理：

4）沉積原子之間產(chǎn)生兩維碰撞，形成簇團(tuán)，有的在表面停留一段時(shí)間后再蒸發(fā)；

5）原子簇團(tuán)與擴(kuò)散原子相碰撞，或吸附單原子，或放出單原子，這種過程反復(fù)進(jìn)行；

6）當(dāng)原子數(shù)超過某一臨界值時(shí)就變?yōu)榉€(wěn)定核，再不斷吸附其他擴(kuò)散原子而逐步長(zhǎng)大，后與鄰近穩(wěn)定核合并進(jìn)而變成連續(xù)膜。