鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

靶功率；磁控濺射本身粒子初始動能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時工件溫升也大，過高的功率會使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴散，易形成陰影效應，膜層會比較疏松，應力較大。包括歐姆接觸的A1、Cu、Au、W、Ti等金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴散勢壘層的TiN、Ta205、Ti0、A1203、Zr02、A1N等介質薄膜沉積。

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有機鍍膜與無機鍍膜的根本區(qū)別

真正的玻璃鍍膜應為純無機質成分，成膜后不應含有任何j基團（CH3）。利用紅外線光譜吸收分析法，可以了解各種鍍膜原料的內部化學成分，這是區(qū)別真假無機質鍍膜產品的重要科學依據。

常見的濺射有兩種：不反應濺射和反應濺射。不反應濺射指濺射氣體和鍍膜材料之間不發(fā)生化學反應。因此不反應濺射所使用的氣體為惰性氣體，一般使用y氣（Ar），稱為工作氣體。不反應濺射一般都用在鍍金屬膜層上，導電性能越好的材料，濺射速率越高。