磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶zhong毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。ITO薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶兩類(lèi)。

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磁控濺射的原理

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成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

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磁控濺射系統(tǒng)的特點(diǎn)！

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射系統(tǒng)廠家?guī)懔私飧啵?

磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊ya氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。

磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域，還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。

磁控濺射的基本原理是利用 Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場(chǎng)和交變磁場(chǎng)的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。

磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。