脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持；靶臺(tái)可以安裝6個(gè)靶位，靶材更換靈活；樣品臺(tái)樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進(jìn)樣室可以存儲(chǔ)多個(gè)靶和樣品；交易過(guò)程無(wú)需繁瑣的進(jìn)、出關(guān)手續(xù), 交貨期短，性價(jià)比高；

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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