對傳感器在三種量程下的輸出電壓與待測壓強關(guān)系進行了和實驗分析,求得傳感器的靈敏度,后對傳感器的動態(tài)性能進行理論和分析,結(jié)果表明優(yōu)化后傳感器的動態(tài)性能提升,驗證了本設(shè)計的可行性。，兩霍爾元件檢測到的電壓信號相同，橋式電路的輸出信號為0。當(dāng)磁性液體微壓差傳感器左右兩端通入不同大小的壓力P1和P2時(假設(shè)P1＞P2)，傳感器優(yōu)化設(shè)計-液壓電動滾圓機滾弧機數(shù)控滾圓機張家港全自動滾圓機滾弧機折彎機中間永磁體沿著軸線方向向右移動Δx，引起殼體外部空間的磁場發(fā)生變化，固定在殼體表面上的兩個霍爾元件感應(yīng)到此變化，并輸出電壓信號ΔU［7］，且ΔU隨著Δx的變化而變化。


數(shù)控滾圓機滾弧機電動滾圓機張家港數(shù)控全自動滾圓機滾弧機作為對比，也測量了合成的PAA-Azo粉末經(jīng)化鉀壓片的紅外光譜。在1460，1550，1642cm－1處的振動峰分別歸屬于偶氮團的CC伸縮振動，C—N伸縮振動界面自組裝-數(shù)控滾圓機滾弧機電動滾圓機張家港數(shù)控全自動滾圓機滾弧機，NN伸縮振動。此外，在1729cm－1處的振動峰歸屬酰胺基團的羰基伸縮振動，在2927cm－1處的峰歸屬于C—H伸縮振動。


其中薄膜中N元素的相對含量由純水亞相的1．06%增加至PAA-Azo亞相的3．64%，歸因于CD-CHOL/PAA-Azo復(fù)合膜中PAA-Azo分子的N元素的增量。此外，將兩種薄膜的C1s特征峰進行分峰考察不同化學(xué)價態(tài)的碳元素的相對含量，如圖5(b)和5(c)所示。位于284．8eV處的峰歸屬于C—C，CC以及C—H鍵，287．2eV處的峰歸屬于CO鍵?？梢郧宄闯?，CD-CHOL/PAA-Azo復(fù)合膜的C—C與CO基團的相對含量均相比CD-CHOL水相膜中有所增加，達(dá)到76．2%以及1．5%


主要原因在于硅砂目數(shù)小于100目時，硅砂粒度較大，玻璃形成硅酸鹽熔體的時間長，從而呈現(xiàn)樣品中未熔物多、氣泡少的現(xiàn)象;而當(dāng)硅砂目數(shù)大于150目時，樣品中未熔物量少，但氣泡直徑小且量多，這是由于在高溫下，硅砂的粒徑越小，其與純堿反應(yīng)速度越快，形成了硅酸鈉，其反應(yīng)式為N加速了硅砂的熔化在一定時間和一定溫度下澄清效果的影響-數(shù)控滾圓機滾弧機折彎機張家港倒角機液壓滾圓機滾弧機折彎機倒角機，玻璃液的黏度大，氣泡難以逸出，形成小而多的氣泡。