光刻膠趨勢(shì)

半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域全球市場(chǎng)規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場(chǎng)約13.5億美元；國(guó)內(nèi)市場(chǎng)約20.2億元，近5年復(fù)合增速達(dá)12%。受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國(guó)內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)全球光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增速，國(guó)內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)的設(shè)備價(jià)格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運(yùn)營(yíng)成本較高，下游廠商認(rèn)證采購(gòu)時(shí)間較長(zhǎng)，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國(guó)外光刻膠廠商相對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國(guó)家層面上的政策支持?！秶?guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開(kāi)發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細(xì)化學(xué)品重要組成部分，是重點(diǎn)發(fā)展的新材料技術(shù)”；光刻技術(shù)（包括光刻膠）是《中國(guó)制造 2025》重點(diǎn)領(lǐng)域。光刻膠企業(yè)通常運(yùn)營(yíng)成本較高，下游廠商認(rèn)證采購(gòu)時(shí)間較長(zhǎng)，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，需要足夠的中后期資金支持。

光刻膠國(guó)際化發(fā)展

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，按照現(xiàn)在“單打獨(dú)斗”的研發(fā)路徑，肯定不行。9．在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P嗎。政府相關(guān)部門(mén)要加大產(chǎn)業(yè)政策的配套支持力度，應(yīng)從加快完善整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)，定向梳理國(guó)內(nèi)缺失的、產(chǎn)業(yè)依賴(lài)度高的關(guān)鍵核心電子化學(xué)品，要針對(duì)電子化學(xué)品開(kāi)發(fā)難度高，檢測(cè)設(shè)備要求高的特點(diǎn)，組織匯聚一些優(yōu)勢(shì)企業(yè)和專(zhuān)家，形成一個(gè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，國(guó)家建立一個(gè)生產(chǎn)應(yīng)用示范平臺(tái)，集中力量突破一些關(guān)鍵技術(shù)。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長(zhǎng)宗健表示，光刻膠要真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，難度很大。問(wèn)題是國(guó)內(nèi)缺乏生產(chǎn)光刻膠所需的原材料，致使現(xiàn)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產(chǎn)光刻膠重要的色漿，至今依賴(lài)日本。此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。因此，必須通過(guò)科研單位、生產(chǎn)企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，盡快取得突破。

有專(zhuān)家提出，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠在面板一時(shí)用不起來(lái)，但政府還是要從政策上鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)普通面板的生產(chǎn)企業(yè)盡快用起來(lái)。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)線(xiàn)的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用，193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加。只有在應(yīng)用過(guò)程中才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，解決問(wèn)題，不斷提升技術(shù)、工藝與產(chǎn)品水平，實(shí)現(xiàn)我國(guó)關(guān)鍵電子化學(xué)品材料的國(guó)產(chǎn)化，完善我國(guó)集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈，滿(mǎn)足國(guó)家和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的需求。

NR77-20000PNR7 6000PY光刻膠報(bào)價(jià)

6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。A正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗(yàn),光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線(xiàn)條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒(méi)有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分進(jìn)行腐蝕掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

光刻膠

按感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中，采用不同單體可以形成正、負(fù)圖案，并可在光刻過(guò)程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類(lèi)，在光作用下生成自由基，自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類(lèi)化合物，經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng)，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開(kāi)，鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。

按曝光波長(zhǎng)，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線(xiàn)光刻膠等。

按應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。