電阻器識別方法

片狀電阻器的阻值和一般電阻器一樣，在電阻體上標明．共有三種阻值標稱法，但標稱方法與一般電阻器不完全一樣。

　　1．?dāng)?shù)字索位標稱法(一般矩形片狀電阻采用這種標稱法)

　　數(shù)字索位標稱法就是在電阻體上用三位數(shù)字來標明其阻值。它的和第二位為有效數(shù)字，第三位表示在有效數(shù)字后面所加“0”的個數(shù)．這一位不會出現(xiàn)字母。

　　例如：“472′’表示“4700Ω”；“151”表示“150”。

　　如果是小數(shù)．則用“R”表示“小數(shù)點”．并占用一位有效數(shù)字，其余兩位是有效數(shù)字。

　　例如：“2R4″表示“2．4Ω”；“R15”表示“0．15Ω”。

電阻器發(fā)展

1885年英國C.布雷德利發(fā)明模壓碳質(zhì)實芯電阻器。在惡劣的溫度環(huán)境中——如，汽車或空間應(yīng)用，甚至是諸如筆記本電腦這種封閉的，通風(fēng)不良的電路——由于現(xiàn)有材料熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生了機械應(yīng)力。1897年英國T.甘布里爾和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜電阻器。1913～1919年英國W.斯旺和德國F.先后發(fā)明金屬膜電阻器。1925年德國西門子-哈爾斯克公司發(fā)明熱分解碳膜電阻器，打破了碳質(zhì)實芯電阻器壟斷市場的局面。晶體管問世后，對電阻器的小型化、阻值穩(wěn)定性等指標要求更嚴，促進了各類新型電阻器的發(fā)展。美國貝爾實驗室1959年研制成 TaN電阻器。60年代以來，采用滾筒磁控濺射、激光阻值微調(diào)等新工藝，部分產(chǎn)品向平面化、集成化、微型化及片狀化方面發(fā)展。