電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護(hù)

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達(dá)150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響?？缃釉诠β拾雽?dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護(hù)電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護(hù)電容器的選擇。開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。

在額定電壓值高達(dá)2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導(dǎo)體器件，如IGBT，電容值可高達(dá)2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。不能僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護(hù)電容器時(shí)，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。當(dāng)線路故障被部分切除時(shí)（如雙回路被切除一回、但回路單相接地切除一相），系統(tǒng)等效電抗急劇，，將串聯(lián)電容器進(jìn)行強(qiáng)行補(bǔ)償，即短時(shí)強(qiáng)行改變電容器串、并聯(lián)數(shù)量，臨時(shí)容抗xc，使系統(tǒng)總的等效電抗減少，提高了輸送的極限功率從而提高系統(tǒng)的動穩(wěn)定。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。因此，應(yīng)選擇一個(gè)具有較低損耗因子的電容器作為替換。

電容器在yiliao器械中選型及應(yīng)用

新型鉭電容

為解決降低額定電壓的問題，Vishay研發(fā)部門開發(fā)出了具有更高額定電壓等級的新系列SMD固體鉭電容器，額定電壓高達(dá)75WVDC.50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導(dǎo)軌中的應(yīng)用引起了設(shè)計(jì)人員的擔(dān)心，而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容，可達(dá)到額定電壓降低50%的行業(yè)認(rèn)可安全指標(biāo)。電介質(zhì)成形更薄、更一致，使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達(dá)到75V，從而實(shí)現(xiàn)了提高額定電壓的技術(shù)突破。56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫中的重要一員。成形工藝中對多道工序進(jìn)行了改進(jìn)：降低了成形加工過程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力集中，降低了電容成形過程中電解液的局部過熱，提高了電介質(zhì)成形過程中電解液濃度和純度的一致性。新型電容T97系列的額定電壓達(dá)75V，83系列達(dá)63V.

用于MRI的新型無磁電容

磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極材料或端接材料中可能含有鐵質(zhì)或磁性材料。為提高圖像分辨率，MRI系統(tǒng)的磁場水平不斷提高，而MRI室內(nèi)使用的電容會造成磁場畸變。50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導(dǎo)軌中的應(yīng)用引起了設(shè)計(jì)人員的擔(dān)心，而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容，可達(dá)到額定電壓降低50%的行業(yè)認(rèn)可安全指標(biāo)。因此，需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

較新推出的系列MLCC在電極和端子結(jié)構(gòu)中采用非鐵材料，來滿足消除磁化的要求。無磁結(jié)構(gòu)可以采用X7R和NPO電介質(zhì)。外形尺寸為0402至1812，符合相關(guān)規(guī)格。在使用將交流轉(zhuǎn)換為直流供電的電子電路中，濾波電容不僅使電源直流輸出平穩(wěn)，降低了交變脈動波紋對電子電路的影響，同時(shí)還可吸收電子電路工作過程中產(chǎn)生的電流波動和經(jīng)由交流電源串入的干擾，使得電子電路的工作性能更加穩(wěn)定。Vishay還在終測試時(shí)采用了專用電容分選設(shè)備，以確保所有無磁電容均能符合技術(shù)要求。