光刻膠簡介

賽米萊德——專業(yè)光刻膠供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。 [1]  光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

負性光刻膠原理

又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

原理

光刻膠在接受一定波長的光或者射線時,會相應的發(fā)生一種光化學反應或者激勵作用。光化學反應中的光吸收是在化學鍵合中起作用的處于原子外層的電子由基態(tài)轉入激勵態(tài)時引起的。對于有機物，基態(tài)與激勵態(tài)的能量差為3~6eV，相當于該能量差的光(即波長為0.2~0.4μm的光)被有機物強烈吸收，使在化學鍵合中起作用的電子轉入激勵態(tài)?；瘜W鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發(fā)生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質(zhì)后，因與物質(zhì)具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質(zhì)的電子中，因此生成激勵狀態(tài)的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發(fā)光刻膠的化學反應。

光刻膠介紹

光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和PCB光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。

從技術水平來看，在PCB領域，國產(chǎn)光刻膠具備了一定的技術和量產(chǎn)能力，已經(jīng)實現(xiàn)對主流廠商大批量供貨。

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光刻膠的參數(shù)介紹

1．對比度（Contrast）

對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。

2．粘滯性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

3．抗蝕性（Anti-etching）

光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。  

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