設計實驗室時應該注意哪些事項:

1、冷卻循環(huán)自來水及洗滌用水的龍to至少應設置1-2個，甚至更多，同時在水池上配置有純水供給點。

2、化學實驗室應有化驗盆、水槽、洗滌池，含有水封，防止實驗廢水返味。實驗室內應有地漏，防止跑水，浸泡實驗室等水患。3、實驗室應設置單相插座若干，設置獨立的配電盤、漏電空氣開關，必要時要設有三相電源。

凈化室工程共包含下列功用室：主實驗室：該實驗室為主體實驗室，規(guī)劃的凈化等級為三十萬級—十萬級。更衣室：該實驗室用于放置更衣柜，進主實驗室之前的替換衣服和鞋運用。緩沖室：該實驗室為ICP儀器室的一個緩沖室，用作隔離實驗室外部的塵土充滿到儀器室內。風淋室：思考更高凈化等級的請求，關于本實驗室的實際請求，能夠不選用。

實驗室潔凈度及壓力梯度：主實驗室：面積為150m2，凈空高度為2.7m，規(guī)劃溫度（空調操控），規(guī)劃濕度（能夠思考添加抽濕機），潔凈等級為三十萬級—十萬級，換氣次數(shù)25次/小時，相對壓力為 10Pa，規(guī)劃送風量900m3/h，過濾器送風口的風量為1000 m3/h。緩沖室：面積為2.9m2，凈空高度為2.7m，潔凈等級為十萬級，換氣次數(shù)15次/小時，相對壓力為 5Pa，規(guī)劃送風量110m3/h，過濾器送風口的風量為500 m3/h。

凈化工程潔凈室的溫濕度主要是根據(jù)您的加工技術請求來斷定，在滿意加工技術的條件下，必選應當思考人的舒適感。隨著空氣潔凈度請求的進步，技術對溫濕度的請求也越來越高，有必要到達必定的溫濕度等級。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光技術中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差請求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就導致了0.24um線性膨脹，所以有必要有±0.1度的恒溫，一起請求濕度值通常較低，因為人出汗今后，對商品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超越25度。