物理氣相沉積和化學氣相沉積的區(qū)別

化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強。

化學雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

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ICP刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

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影響因素

刻蝕率–氣壓（Pressure）。–溫度（Temperature）提高溫度會提高刻蝕率。–Micro-loading–刻蝕后腐蝕（Post-etch corrosion）。–殘留物（residual）。

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ICP刻蝕機檢測技術(shù)

高密度等離子體刻蝕是當今超大規(guī)模集成電路制造過程中的關(guān)鍵步驟。已經(jīng)開發(fā)出許多終點檢測技術(shù)，終點檢測設(shè)備就是為實現(xiàn)刻蝕過程的實時監(jiān)控而設(shè)計的。

光學發(fā)射:

光學發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點檢測手段。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發(fā)性基團所發(fā)射波長的光強的變化來實現(xiàn)終點檢測。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個能態(tài)時，伴隨著這一過程所發(fā)射出來的光線。

光線的強度變化可從反應腔室側(cè)壁上的觀測孔進行觀測。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長各不相同，光線強度的變化反應出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測的波長可能會有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點時， 反應物所發(fā)出的光線強度增加；另一種情形是光線強度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。

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