模擬電路與數(shù)字電路的區(qū)別是什么？

模擬電路與數(shù)字電路的區(qū)別

1.電路的輸入、輸出信號的類型不同     數(shù)電：工作信號是數(shù)字信號“0”“1”，且信號的幅度只有高低兩種電平，數(shù)值上是離散的。     模擬：隨時間緩慢變化的信號，數(shù)值上是連續(xù)的。                            

2.對電路的要求不同

數(shù)電：是實現(xiàn)輸入輸出的數(shù)字量之間實現(xiàn)一定的邏輯關系。

模電：要求電路實現(xiàn)模擬信號的放大、變換、產(chǎn)生。

3.電路中三極管的作用和工作區(qū)域不同      數(shù)電：三極管作為開關使用且工作在截至和飽和區(qū)。

模電：三極管作為放大元件，其工作在放大區(qū)。

4.所有的分析方法不同

數(shù)電：主要分析輸入輸出信號之間的邏輯關系，使用邏輯代數(shù)，真值表、卡諾圖等分析方法。

模電：通常采用圖解法和微變等效電路法。

現(xiàn)在的嵌入式系統(tǒng)，電子電路設計一般都是數(shù)字電路，只有數(shù)字信號，高低兩種電平，只要分析輸入輸出信號的邏輯關系，不需要自己設計復雜的電子電路，簡化了硬件設計的工作量、復雜度和調(diào)試周期。

數(shù)字IC設計工程師要具備哪些技能

學習“數(shù)字集成電路基礎”是一切的開始，可以說是進入數(shù)字集成電路門檻的步。CMOS制造工藝是我們了解芯片的節(jié)課，從生產(chǎn)過程（宏觀）學習芯片是怎么來的，這一步，可以激發(fā)學習的興趣，產(chǎn)生學習的動力。

接下來，從微觀角度來學習半導體器件物理，了解二極管的工作原理。進而學習場效應管的工作原理，這將是我們搭電路的積木。

導線是什么？這是一個有趣的話題，電阻、電容、電感的相互作用，產(chǎn)生和干擾，也是數(shù)字電路要解決的重要問題。

門電路是半定制數(shù)字集成電路的積木（Stardard Cell），所有的邏輯都將通過它們的實現(xiàn)。

存儲器及其控制器，本質(zhì)上屬于數(shù)?；旌想娐?。但由于計算機等復雜系統(tǒng)中存儲器的日新月異，存儲器的控制器由邏輯層（數(shù)字）和物理層（模擬）一起實現(xiàn)。

FPGA是可編程門陣列，就是提前生產(chǎn)好的ASIC芯片，可以改配置文件，來實現(xiàn)不同的功能。常常用于芯片Tapeout前的功能驗證，或者用于基于FPGA的系統(tǒng)產(chǎn)品（非ASIC實現(xiàn)方案，快速推向市場）。

可測試性設計（即Design For Test），通常用來檢測和調(diào)試生產(chǎn)過程中的良率問題。封裝和測試是芯片交給客戶的后一步。似乎這些與狹義的數(shù)字電路設計不相關，但這恰恰公司降低成本的秘訣。

后，還需要了解數(shù)字電路與模擬電路的本質(zhì)區(qū)別，這將會幫助我們?nèi)趨R貫通所學的知識。

IC半導體的基礎知識(一)

一、物理基礎    所有物質(zhì)按照導電能力的差別可分為導體、半導體和絕緣體三類。半導體材料的導電性能介于導體和絕緣體之間?；蛘哒f，半導體是介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)。常用的半導體材料有：元素半導體硅(Si)和鍺(Ge)、化合物半導體(GaAs)等?？煽啃裕≧eliability）則是對產(chǎn)品耐久力的測量，它回答了一個產(chǎn)品生命周期有多長，簡單說，它能用多久的問題。導體的電阻率在10-4Ω?cm以下，如銅的電阻率為1.67×10-6 Ω?cm，絕緣體的電阻率在1010 Ω?cm以上，半導體的電阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之間，與導體的電阻率相比較，半導體的電阻率有以下特點。

1.對溫度反映靈敏

導體的電阻率隨溫度的升高略有升高，如銅的電阻率僅增加0.4%左右，但半導體的電阻率則隨溫度的上升而急劇下降，如純鍺，溫度從20℃上升到30℃時，電阻率降低一半左右。

2.雜質(zhì)的影響顯著

金屬中含有少量雜質(zhì)其電阻率不會發(fā)生顯著變化，但是，極微量的雜質(zhì)摻在半導體中，會引起電阻率的極大變化。如在純硅中加入百萬分之一的硼，就可以使硅的電阻率從2.3×105 Ω?cm急劇減少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改變電阻率

例如，有些半導體(如)受到光照時，其導電能力會變得很強；當無光照時，又變得像絕緣體那樣不導電，利用這種特性可以制成光敏元件。而金屬的電阻率則不受光照的影響。

溫度、雜質(zhì)、光照對半導體電阻率的上述控制作用是制作各種半導體器件的物理基礎。