蝕刻標(biāo)牌的具體步驟

1、配液

用作蝕刻劑的是三氯化鐵溶液。它的波美濃度在蝕刻環(huán)節(jié)中非常重要，直接影響到蝕刻的速度。適宜的波美濃度是38到40度之間。

丈量濃度的辦法是；將三氯化鐵溶液倒在細(xì)長的量杯中，刺進(jìn)波美計(jì)，挨著液面的數(shù)值就是它的波美濃度。

如今的波美濃度是42度，有些太濃，咱們可以加水進(jìn)行稀釋，拌和均勻后，取樣從頭進(jìn)行測量。若是波美濃度太低，則可參加高濃度的三氯化鐵溶液。波美濃度分配適宜后，倒入蝕刻機(jī)的箱體內(nèi)，把蓋子蓋好。

2、開機(jī)

蝕刻機(jī)運(yùn)用的是380V電源。翻開電源開關(guān)，電源指示燈亮。發(fā)動(dòng)酸泵，讓三氯化鐵溶液在機(jī)器內(nèi)循環(huán)，調(diào)查溫度表高不能超過50度。按下傳送帶開關(guān)，進(jìn)行整機(jī)試運(yùn)行。

3、試刻

這臺(tái)精細(xì)搖晃蝕刻機(jī)傳送帶可以無級(jí)調(diào)速，沖刷工夫的長短可以在這里進(jìn)行調(diào)整。

蝕刻機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)正常后，先在入料口放一塊試刻用的不銹鋼板，傳送帶會(huì)把它緩慢的送入機(jī)器內(nèi)部。表面也很軟，還有就說是需要用重鈣，我沒用和用了感覺效果差不多。按下蝕刻開關(guān)，機(jī)器內(nèi)的噴嘴就開端噴出三氯化鐵溶液，它的壓力基本上是穩(wěn)定的。三氯化鐵溶液不斷地沖刷不銹鋼板的外表，溶液中的三價(jià)鐵離子疾速氧化不銹鋼板，不銹鋼板就被蝕刻下去了。

沖刷工夫的長短就決議了蝕刻的深度。若是蝕刻太淺，要下降傳送帶行進(jìn)速。

大約3分鐘后， 咱們可在出料口拿到試刻的不銹鋼板，用手試摸一下蝕刻的深淺程度,若是手指上感到有點(diǎn)凹凸的覺得，這時(shí)的深度在大概在0.1毫米，就可以開端正式蝕刻。

4、正式蝕刻

把堅(jiān)好膜并在不和貼上了防腐保護(hù)膜的那兩塊不銹鋼板放在入料口的適宜方位，按下蝕刻開關(guān)，蝕刻機(jī)就開端對不銹鋼板進(jìn)行蝕刻， 3分鐘后，咱們就在出料口看到了的這兩塊不銹鋼板，細(xì)心檢查一下，像這樣就達(dá)到了咱們懇求的蝕刻作用。

5、褪膜

先把蝕刻好的不銹鋼板放入清水中，用潔凈的布將三氯化鐵溶液洗去。六、酸/堿體積比的檢驗(yàn)方法：開機(jī)運(yùn)行到設(shè)定溫度后(約15~20分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規(guī)定范圍內(nèi)方可進(jìn)行生產(chǎn)。然后放入另一個(gè)盛有清水的容器中，搖擺幾下，將外表洗潔凈,再把不銹鋼板不和貼的防腐保護(hù)膜撕掉，將這兩塊不銹鋼板，放在盛有固體的容器里，按1：10左右的份額參加七、八十度的熱水，搖擺容器，使充沛的溶解。咱們可以看到，兩塊不銹鋼板上殘留的膜城市慢慢地悉數(shù)退去。搖擺到水溫為二、三十度了，才可以拿潔凈的布將它們擦拭潔凈。再把不銹鋼板放入盛有清水的桶中進(jìn)行漂洗。

標(biāo)牌電蝕刻問題

1.不銹鋼(300系列)在中會(huì)鈍化,不會(huì)腐蝕.面鹽酸和會(huì)造成不銹鋼的腐蝕,優(yōu)以HF為重.

2.蝕刻不銹鋼用NaCl()水溶液就可以,黃銅可以考慮用NaCl和NaNo3(鈉)混合溶液.

3.蝕刻鋁牌與其它金屬一樣,不存在的電蝕比化學(xué)蝕刻快,電蝕對小面積細(xì)線條的圖案,按每次一塊與化學(xué)蝕刻相絲,要快5-10倍(看蝕刻液配方及蝕刻頭形狀,陰陽極間距,蝕刻溫度,電源波形),但化學(xué)蝕刻一次蝕刻的面積可能要較電刻大幾十或數(shù)百倍(如用PCB機(jī)),所以這種說法不準(zhǔn)確!要說明的是，經(jīng)常會(huì)遇到這樣的情況，刮2遍后，效果還是不好，那就要放棄了。

金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。要更進(jìn)一步地改善,可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點(diǎn)。這種鋁表面還有一層保護(hù)膜保護(hù)好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進(jìn)行加工，一起來看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，從而推動(dòng)摩爾定律發(fā)展；隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細(xì)，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進(jìn)FinFET和存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過實(shí)現(xiàn)選擇性清除工藝，推動(dòng)了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場機(jī)遇。蝕刻法與傳統(tǒng)的機(jī)械沖制方法相比，具有生產(chǎn)周期短（一般3天可以制造出產(chǎn)品），修改尺寸方便快捷的優(yōu)點(diǎn)。

隨著先進(jìn)微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學(xué)成分無法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。亞克力和玻璃表面采用絲印，貼即時(shí)貼，雕刻，噴砂等工藝根據(jù)設(shè)計(jì)圖紙來綜合加工。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進(jìn)入極狹小的空間，從而實(shí)現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴(kuò)大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。