金屬蝕刻標牌

通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工；在氨性蝕刻中﹐假定所有參數不變﹐那么蝕刻的速率將主要由蝕刻液中的氨（NH3）來決定。經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

蝕刻過程中應注意的問題

1. 減少側蝕和突沿﹐提高蝕刻系數

側蝕會產生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時間越長, 側蝕的情況越嚴重。 側蝕將嚴 重影響印制導線的精度﹐ 嚴重的側蝕將不可能制作精細導線。 當側蝕和突沿降低時﹐蝕刻 系數就會升高﹐高蝕刻系數表示有保持細導線的能力﹐使蝕刻后的導線能接近原圖尺寸。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時都會造成導線短路。主要查采用掩膜、蝕刻后處理三步進行加工制做而成的凸字金屬標牌或凹字金屬標牌。

因為上板面有溶液的堆積﹐減弱了蝕刻反應的進行, 但可以通過調整上 下噴嘴的噴淋壓力來解決上下板面蝕刻不均的現象。 蝕刻工藝的一個普遍問題是在相同的時間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做 到的。 因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快, 故很難做到同時使全部蝕刻都干 凈。 而采用噴淋系統并使噴嘴擺動噴射是一個有效的解決措施。 要更進一步地改 善, 可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力, 以及對板前沿和板后端采用間歇 蝕刻的方法﹐達到整個板面的蝕刻均勻性。企業(yè)方（客戶方）可根據自身的情況與設計者交流，參照以往的工程案例，經驗和其他參考資料，整合出一個概念，其中包括用材、用色、效果、成本、節(jié)能，售后維護等多方位考慮。

光刻和蝕刻技術，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設計 圖案通過曝光成像的原理轉移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ?金屬采用焊接，折彎，洗槽，車床，水切割，線切割，打磨，拋光，拉絲，電鍍，氧化，腐濁，烤漆。 光刻的質量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產生不同的光吸收和 透過能力。