什么是蝕刻標(biāo)牌？

蝕刻標(biāo)牌是指金屬標(biāo)牌的圖片與金屬表面不在同一個(gè)表面，并以蝕刻的方式而制成。它可以是保留圖文，將圖文以外的區(qū)域蝕刻成下凹，稱為陽文蝕刻，或反蝕刻；也可以保留原材料的表面，使圖文區(qū)域蝕刻成下凹，稱為陰文蝕刻。

蝕刻標(biāo)牌有圖文的性，常用于機(jī)械設(shè)備標(biāo)牌和一些使用環(huán)境惡劣而需要作耐久性標(biāo)識(shí)的場合。

蝕刻標(biāo)牌是傳統(tǒng)性的標(biāo)牌。一直業(yè)內(nèi)大家都習(xí)慣稱它為腐蝕標(biāo)牌。有人說叫它腐蝕標(biāo)牌不是很妥切，因?yàn)楦g一詞多指金屬在自然條件下所遭受的破壞行為的一種結(jié)果；而蝕刻則是一種有意識(shí)、有選擇性的，為達(dá)到預(yù)期目的而實(shí)施的一種刻意行為。我們選擇一塊1厘米厚的墊板，把它放在絲網(wǎng)網(wǎng)版與網(wǎng)印平臺(tái)架子面板的后面，它們之間的這個(gè)距離，這就是網(wǎng)距。但不管怎樣，這種工藝過程，卻經(jīng)歷了二十多年的發(fā)展，直到目前為止，還不能完全取消這種傳統(tǒng)工藝。

蝕刻過程中常見的問題

蝕刻速率降低 蝕刻速率降低與許多因素有關(guān), 故需要檢查蝕刻條件 (例如﹕溫度、 噴淋壓力、 溶 液比重、 PH 值和氯化銨的含量等)﹐使其達(dá)到適宜的范圍。 蝕刻溶液中出現(xiàn)沈淀 是由于氨的含量過低（PH 值降低）﹐或水稀釋溶液等原因造成的 (例如:冷卻系統(tǒng)漏 水等)。 溶液比重過高也會(huì)造成沈淀。氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的,有一些用戶采用將純氨通入蝕刻儲(chǔ)液槽的做法,但這樣做必須加一套PH計(jì)控制系統(tǒng),當(dāng)自動(dòng)監(jiān)測的PH結(jié)果低于默認(rèn)值時(shí)﹐便會(huì)自動(dòng)進(jìn)行溶液添加。 抗蝕鍍層被浸蝕 是由于蝕刻液 PH 值過低或 CL 含量過高所造成的。 銅的表面發(fā)黑, 蝕刻不動(dòng) 蝕刻液中 NH4CL 的含量過低所造成的。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個(gè)工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì) 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。專業(yè)提供蝕刻標(biāo)牌、不銹鋼標(biāo)牌工藝要求：1、不銹鋼板須刨坑折彎焊接（不銹鋼板須先刨坑后折彎，以保證邊緣挺拔度）。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。5%)60～100ml/l，磷酸(85%)20～45ml/l，復(fù)合光亮劑1～5g/l，緩蝕劑0。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過程。 后烘 (Hard-bake)—用來去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。