條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質(zhì)。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。大約3分鐘后，咱們可在出料口拿到試刻的不銹鋼板，用手試摸一下蝕刻的深淺程度,若是手指上感到有點(diǎn)凹凸的覺得，這時(shí)的深度在大概在0。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時(shí)光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。

負(fù)載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點(diǎn)（Endpoint）-- 在一個(gè)蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時(shí)的時(shí)間點(diǎn)。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉(zhuǎn)移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測(cè)試光學(xué)系統(tǒng)把相鄰的目標(biāo)形成分離圖像的能力。不銹鋼標(biāo)牌產(chǎn)品適用于家具、家電、皮具、刀具、機(jī)械設(shè)備、廚柜、潔具、服裝、酒店、門閘、汽車行業(yè)等企業(yè)單位。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標(biāo)能形成影像的縱向距。 關(guān)鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個(gè)特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關(guān)聯(lián)尺寸。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團(tuán)）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強(qiáng)蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨(dú)使用中性原子團(tuán)不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；在技術(shù)分為機(jī)械、化學(xué)和電化學(xué)方法等[1～4]，其中化學(xué)蝕刻具有工藝簡(jiǎn)單、操作方便、精度高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)，適合于批量生產(chǎn)，蝕刻深度為20～200μm。具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機(jī)械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計(jì) 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。