一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點為1415℃，膨脹系數為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時，其熱膨脹系數可調到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數為60PPM，結晶石英的熔點為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現在我國還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結晶粉取代。

硅微粉改性后，白度的影響主要是改性劑和改性設備，而改性劑是物料，它不會對硅微粉造成二次污染。設備上的物質進入物料后，對硅微粉造成了二次污染，不但嚴重影響白度，還影響電導率。通過這次對設備的技術改造，克服了這方面的因素，取得了階段性的勝利。但改性工藝是相當復雜的，它涉及到改性溫度臺階的控制、加入改性劑的時段、加入方法、加完改性劑后的攪拌時間等等。硅微粉雖與白炭黑化學成分均為二氧化硅，但前者為結晶型，后者為無定型。結晶型填料又分為異軸結晶和等軸結晶兩種。同軸結晶x、y、z三軸相似，各向同性。異軸結晶x、y、z三軸有明顯差異，各向異性在常用非金屬礦物填料中，陶土、石墨、硅藻土屬異軸結晶系。碳酸鈣為等軸結晶系。

隨著涂料工業(yè)的不斷發(fā)展，硅微粉等非金屬礦物填料不僅要在超細、提純、改性技術等方面進行不斷的研究，更重要的是要進行超細粉體在這些高分子聚合物中的應用研究，從而推動整個工業(yè)技術的進步。 在高聚物基料中添加非金屬礦物填料，不僅可以降低高分子材料的成本，更重要的是能提高材料的性能尺寸穩(wěn)定性，并賦予材料某些特殊的物理化學性能，如抗壓、抗沖擊、耐腐蝕、阻燃、絕緣性等。