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225度高溫晶振價格產(chǎn)品介紹「北京啟爾特」

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發(fā)布時間:2021-08-12 12:43  






晶振

參數(shù)a. 標稱頻率:在規(guī)定條件下,晶振的諧振中心頻率.

b. 調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差:在規(guī)定條件下,在整個工作溫度范圍內(nèi),相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值.

d. 負載諧振電阻:晶振與外部電容相串聯(lián),在負載諧振頻率時的電阻值.

e.負載電容: 是指與晶振一起決定負載諧振頻率的有效外界電容.常用標準值有:12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.


諧振器一般分為插件(Dip)和貼片(SMD)插件中又分為HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型(柱狀晶振)。HC-49U一般稱49U,有些采購俗稱"高型",而HC-49S一般稱49S,俗稱"矮型",HC-49SS一般稱49SS,俗稱(超矮型,通常是2.5mm封裝高度),音叉型按照體積分可以分為3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。貼片型是按大小和腳位來分類


晶體電阻:對于同一頻率,當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。

工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時,應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高,同時空間和功率都允許的情況下,應考慮恒溫工作,恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。

負載電容與頻率牽引:在許多應用中,都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個負載電抗呈容性,當該電容值為CL時,則相對負載諧振頻率偏移量為:DL=C1/[2(C0 CL)]。


石英晶體振蕩器的基本原理

壓電效應

若在石英晶體的兩個電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之,若在晶片的兩側施加機械壓力,則在晶片相應的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會產(chǎn)生機械振動,同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時,振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。



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