編輯：DD

根據(jù)萬用表示數(shù)分析，肖特基二極管測試結論如下（其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼）:

一，根據(jù)①-②、③-②間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。

二，因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。

三，內(nèi)部兩只肖特基二極管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均低于手冊中給定的允許值VFM(0.55V)。

ASEMI高壓SBD

長期以來，在輸出12V~24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中，只有選用200V~400V的FRED。設計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝，形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構

關于肖特基二極管的應用，ASEMI總結出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。