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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

ASEMI肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。

ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。

肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間可小到幾納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。

　　肖特基二極管與PN結(jié)二極管在構(gòu)造原理上有一定區(qū)別。這種管子的缺點是反向耐壓較低，一般不超過100V，適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。

　　需要說明的是，很多肖特基二極管和快恢復(fù)二極管有三只引腳，外形酷似晶體管。其實，這是一種內(nèi)含兩個肖特基二極管的復(fù)合二極管，其中一只腳為公共正極，另兩只腳分別為兩只二極管的負極，可用萬用表方便地進行判斷，