MHCHXM所生產的肖特基，之所以受到全國各地電源電器廠商的歡迎，是因為MHCHXM人18年如一日對品質的要求，不論您需求什么樣的肖特基二極管，數(shù)量或多或少，我們都抱著精益求精的努力，嚴格監(jiān)督且注重每一道生產工序，以保證每一個肖特基都是精品，都能讓所有客戶購買到稱心如意的整流橋 來自我們的寶島臺灣，采用優(yōu)質塑料外殼封裝進口優(yōu)質PC材料一次性燒注成型，硅片上的電路管腳用導線接引到外部接頭處，更加有效保護芯片，增強電熱性能，便于安裝和運輸，隔熱阻燃性能好，強度硬度高，耐高溫

用油墨絲印，容易掉字污染線路板，也存在惡意翻新的問題。

超高的穩(wěn)定品質性能得益于芯片的尖端性能，芯片需經過36道工序78道工藝，歷時108小時的老化試

驗后挑選出一致性誤差0.05% 范圍內的芯片。

編輯：DD

常見的肖特基有貼片肖特基二極管與直插型肖特基二極管。

首先一起來看一下貼片型肖特基二極管：SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，耐壓頂多達到約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管(FRED)和超快速恢復二極管(UFRD)。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。

關于肖特基二極管的應用，ASEMI總結出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。