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在金屬內(nèi)部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態(tài)平衡。在加正向偏壓(即金屬加正電壓，半導體加負電壓)時，自建場削弱，半導體一側(cè)勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結(jié)二極管一樣，是一種具有單向?qū)щ娦缘姆蔷€性器件。

ASEMI工程師介紹，肖特基二極管的作用——

肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

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采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。