KOAN 壓控振蕩器對(duì)晶體諧振器的要求

晶振的動(dòng)態(tài)電容與頻率的牽引成正比，負(fù)載電容大小及其變化大小與頻率牽引成反比，選用基頻并增大動(dòng)態(tài)電容可加大牽引，但諧振器的動(dòng)態(tài)電感減小，Q值下降，頻率穩(wěn)定度必然下降。為保證振蕩器能順利起振，并具有較好的穩(wěn)定度，電感 L1 不能用得過(guò)大。

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KOAN 壓控晶振對(duì)變?nèi)荻O管的容值要求

壓控晶振中用變?nèi)荻O管作為調(diào)頻元件，其性能和使用方法尤為重要，變?nèi)荻O管的中心電容值必須適合，其特性曲線平均斜率必須足夠大，以滿足壓控總頻偏要求，其特性曲線的線性要能滿足要求。

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KOAN 壓控晶振系列編號(hào)封裝尺寸解讀（CMOS 輸出）

? KV08/14：KV-KOAN*VCXO，DIP8/DIP14 直插（4p）CMOS 輸出，5V（4-50Mhz）

? KV32/50：KV-KOAN*VCXO，SMD3225/5032（4p/6p）CMOS 輸出，1.8V-3.3V（4-50Mhz/16-50Mhz@1.8V）

? KV32T：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）T-高頻（低抖動(dòng)）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV50T：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）T-高頻（低抖動(dòng)）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV508T：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖動(dòng)）T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

? KV70：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）CMOS 輸出，3.3V（4-50Mhz）

? KV70T：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）T-高頻（低抖動(dòng)）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV708T：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖動(dòng)，T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

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KOAN 壓控晶振的高低電平，脈沖寬度，占空比概述

電源電壓 Vdd /-10%，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，閥值電平 Vdd50%，不定電平 Vdd10%-Vdd90%，高電平噪聲容限 Vdd90%-Vdd50%，低電平容限Vdd10%-Vdd50%，脈沖寬度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脈沖寬度 t與脈沖周期 T 的比值。