多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過(guò)分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率等。

多晶硅太陽(yáng)能電池板的主體是采用鋼化玻璃制作而成，透光率是非常好的，能夠達(dá)到91%以上，如果遇到強(qiáng)光的話(huà)，透光率甚至可以達(dá)到，是目前市面上發(fā)電池板透光率的一種材料，且費(fèi)用比較低。不足的就是在弱光的環(huán)境當(dāng)中，光電轉(zhuǎn)換率就會(huì)比較差一點(diǎn)，會(huì)大量的消耗電池片。

PID效應(yīng)是電池組件上封裝材料和其上表面及下表面的材料，電池片與其接地金屬邊框之間的高壓作用下出現(xiàn)離子遷移，而造成組件性能衰減的現(xiàn)象。對(duì)太陽(yáng)能電池組件的輸出功率影響巨大。

PID早是sunpower公司在2005年發(fā)現(xiàn)的，在15屆上海召開(kāi)的PVSEC會(huì)議上報(bào)道了PID效應(yīng)。目前，業(yè)界普遍認(rèn)為極化現(xiàn)象、Na離子遷移、電化學(xué)腐蝕這三個(gè)方面是造成電池PID的主要原因。而隨著光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，面臨著很多苛刻的環(huán)境，而嚴(yán)酷的環(huán)境更是讓加速了這種衰減。如高溫、多雨、鹽堿地等特殊環(huán)境，都會(huì)讓組件性能衰減加快，阻礙光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

隨著溫度的提高，潮濕對(duì)材料的破壞力會(huì)急劇增加。因此在潮濕曝曬過(guò)程中，溫度控制是*基本的要求。更進(jìn)一步說(shuō)，要產(chǎn)生加果，就要求在潮濕曝曬過(guò)程中保持高溫環(huán)境。在設(shè)備中冷凝過(guò)程溫度設(shè)置可以是從40℃到60℃中的任何一點(diǎn)。

加熱系統(tǒng)采用U型鈦合金高速加溫電熱管；溫度控制與光照完全獨(dú)立系統(tǒng)；溫度控制輸出功率均由微電腦演算，以達(dá)及之用電效益；具有加熱系統(tǒng)的防超溫功能；