鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響：

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差

輝光清洗：對工件施加負偏壓，產(chǎn)生輝光放電，利用ya離子轟擊工件表面，這種輝光放電清洗作用比較柔和，一般采取由弱到強的轟擊清洗順序，是怕工件太臟時一開始就強轟擊，可能產(chǎn)生強烈的打火而損傷工件。

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普通真空鍍膜時，蒸發(fā)料粒子大約只以一個電子伏特的能量向工件表面蒸鍍，在工件表面與鍍層之間，形成的界面擴散深度通常僅為幾百個埃（10000埃=1微米=0.0001厘米）。真空鍍膜技術(shù)在塑料制品上的應(yīng)用最廣泛，真空鍍膜機廠表示，塑料具有易成型，成本低，質(zhì)量輕，不腐蝕等特點，塑料制品應(yīng)用廣泛，但因其缺點制約了擴大應(yīng)用。而離子鍍時，蒸發(fā)料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動能。當(dāng)其高速轟擊工件時，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴散層，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢。

鍍膜基片

鍍膜基片有：浮法原片、切磨玻璃、鋼化玻璃、彩釉玻璃、夾層玻璃等。濺射過程是建立在氣體放電基礎(chǔ)上的，放電從低壓下開始的，氣體離子與靶材相互作用，離子不斷的撞擊靶表面，靶材從靶表面被轟擊下來然后在靶附近的基片（玻璃）上沉積下來，凝結(jié)成一層薄膜。鍍膜前基片必須用純凈水清洗，去除基片表面的灰塵、污垢、油膩等雜質(zhì)，因為表面的雜質(zhì)將會影響膜層的附著能力，或者影響鍍膜玻璃的外觀質(zhì)量。如果基片表面存在膠印、筆印等不能清洗掉的雜質(zhì)，在清洗之前必須用酒精將雜質(zhì)擦去。