利用壓控振蕩器來控制頻率

高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓, 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會(huì)加大, 兩導(dǎo)體面之距離一變長(zhǎng), 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會(huì)被提高. 反之, 降低逆向偏壓時(shí), 二極管內(nèi)的電容變大, 頻率就會(huì)降低.

而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對(duì)電容的充電速率為手段來得到一個(gè)電壓控制的電流源。參見波型產(chǎn)生器。

如何選擇壓控晶體振蕩器？

有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補(bǔ)振蕩器TCXO，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數(shù)量來看普通振蕩器和溫補(bǔ)振蕩器可觀，一個(gè)代表通用型，一個(gè)代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場(chǎng)需求相對(duì)較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術(shù)要求，很多指標(biāo)要求從設(shè)計(jì)上已經(jīng)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，所以在選擇上相對(duì)簡(jiǎn)單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標(biāo)，不同性能指標(biāo)其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對(duì)壓控晶振的選型做相關(guān)的介紹 。

一種具有溫度補(bǔ)償效應(yīng)的環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

介紹了一種基于O.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的三級(jí)差分環(huán)形壓控振蕩器。結(jié)果表明,2.5V電源電壓供電時(shí),振蕩器中心頻率為315MHz,工作電流為330uA,電路功耗僅為825uW。溫度范圍為一30~80℃,輸出頻率的中心頻率為295~328MHz,頻率變化小于1000ppm。本設(shè)計(jì)可極大的改善由于溫度引起的振蕩器頻率嚴(yán)重變化的影響,可應(yīng)用于鎖相環(huán)和頻率綜合器設(shè)計(jì)中。