?！癯跫壟c次級主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會更有利?！耖_關(guān)電源在MOSFET-D端點工作時候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點），在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組，并作為起點端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計算其圈數(shù)時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因為啟動前電流是非常小的，所以這個電阻并沒有多少影響，幾乎可以忽略不計。

35.傳導整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機理。 37.關(guān)于PCB碰到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時候填不滿這個位置？像是有死銅一樣D1這個元件有個文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導，線屏蔽主要針對輻射，當傳導非常好的時候，有可能你的輻射會差，這個時候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會快很多。 EMI整改技巧之一 39.測試輻射的時候，多帶點不同品牌的MOS、肖特基。


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測試時，65M和83M位置有點頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點，后面還是有點高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火??！看來這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測試，測試通過。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；