純凈的SF6氣體雖然無毒，但在工作場(chǎng)所要防止SF6氣體的濃度上升到缺氧的水平。SF6氣體的密度大約是空氣的五倍、SF6氣體如有泄漏必將沉積于低洼處，如電纜溝中。濃度過大會(huì)出現(xiàn)使人窒息的危險(xiǎn)，設(shè)計(jì)戶內(nèi)通風(fēng)裝置時(shí)要考慮到這一情況。

　　在電弧作用下SF6的分解物如SF4，S2F2，SF2，SOF2，SO2F2，SOF4和HF等，它們都有強(qiáng)烈的腐蝕性和毒性。因此在電力系統(tǒng)GIS等應(yīng)用SF6的工作場(chǎng)所，要加裝SF6氣體泄漏監(jiān)測(cè)設(shè)備。

紅外光譜技術(shù)（IAC510）

紅外光譜吸收技術(shù)(又稱激光技術(shù)）的原理是SF6作為溫室氣體，對(duì)特定波段的紅外光有很強(qiáng)烈的吸收特性。紅外光譜技術(shù)的特點(diǎn)是成本高，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靈敏度高，不受環(huán)境的影響和干擾，對(duì)環(huán)境的溫度和濕度的變化所帶來的檢測(cè)誤差很小，由于其是采用主動(dòng)抽取測(cè)試點(diǎn)氣體的原理，帶來的效果是發(fā)現(xiàn)泄漏早，反應(yīng)迅速。紅外光譜技術(shù)的特點(diǎn)是成本高，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靈敏度高，不受環(huán)境的影響和干擾，對(duì)環(huán)境的溫度和濕度的變化所帶來的檢測(cè)誤差很小，由于其是采用主動(dòng)抽取測(cè)試點(diǎn)氣體的原理，帶來的效果是發(fā)現(xiàn)泄漏早，反應(yīng)迅速。同時(shí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)對(duì)工程實(shí)施中的布線也帶來了很大的方便。

為什么六氟化硫氣體純度不純了？

 （1）六氟化硫氣體純度不純，出廠時(shí)含高毒性的低氟化硫、氟化氫等有毒氣體。其中極i少量的分解物，在重新結(jié)合的過程中與游離的金屬原子、水和氧發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生金屬氟化物及氧、硫的氟化物。大家知道，目前化工行業(yè)制造六氟化硫氣體的方法主要是采用單質(zhì)硫磺與過量氣態(tài)氟直接化合反應(yīng)而成；即S 3F2→SF6 Q（放出熱量） 。在合成的粗品中含有多種雜質(zhì)，其雜質(zhì)的組成和含量因原材料的純 度、生產(chǎn)設(shè)備的材質(zhì)、工藝條件等因素的影響而有很大差異，雜質(zhì)總含量可達(dá)5%。其組成有硫氟化合物，如：S2、F2、SF2、SF4 等；硫氟氧化合物如SOF2、SO2F2、 SOF4 等 以及原料中帶入的雜質(zhì)如 HF、OF2、CF4、N2、O2等。為了凈化粗品中的雜質(zhì)，合成后的 SF6氣體還需要經(jīng)過水洗、堿洗、熱解（去除劇i毒的十氟化物） 、干燥、吸附、冷凍、蒸餾提純等一系列凈化處理過程才能得到純度在99.8%以上的產(chǎn)品。然后再用壓縮機(jī)加壓，充入降溫至 -80℃左 右的鋼瓶中，以液態(tài)形式存在。在使用時(shí)減壓放出，呈氣態(tài)沖入電氣設(shè)備中。

 除在上面的合成過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)外，另外， 在氣體的充裝過程中還可能混入少量的空氣、水分、和礦物油等雜質(zhì)，這些雜質(zhì)均帶有或會(huì)產(chǎn)生一定的毒性物質(zhì)。該技術(shù)在大幅降低液晶產(chǎn)品加工中占相當(dāng)比例的CVD氣體成本的同時(shí)，還顯示出了極i佳的環(huán)保前景，近年來用量有明顯的提高。因此，為保證六氟化硫的純度和質(zhì)量，對(duì)出廠的六氟化硫國(guó)際電工委i員會(huì)（IEC）及許多國(guó)家均制定了質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，并要求生產(chǎn)廠家在供貨時(shí)提供生物試驗(yàn)無毒證明書。

高純六氟化硫的應(yīng)用

 六氟化硫的使用可以增加設(shè)備運(yùn)行的安全性、縮小設(shè)備體積、延長(zhǎng)設(shè)備壽命。近幾年，國(guó)家大力發(fā)展基礎(chǔ)電力行業(yè)，給六氟化硫廠家?guī)砹撕艽蟮氖袌?chǎng)機(jī)遇。

高純六氟化硫(純度在99.99%以上)，國(guó)內(nèi)需求非常旺盛，而且附加值較高。

 高純六氟化硫主要用于半導(dǎo)體工業(yè)中作清洗氣體。

 六氟化硫的成本只有NF3的幾分之一，近年來，各公司以廉價(jià)的SF6取代以往CVD工藝中作為清洗氣體的NF3的新技術(shù)正被廣泛研究。

 該技術(shù)在大幅降低液晶產(chǎn)品加工中占相當(dāng)比例的CVD氣體成本的同時(shí)，還顯示出了極i佳的環(huán)保前景，近年來用量有明顯的提高。

 據(jù)權(quán)i威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年我國(guó)將成為僅次于美國(guó)的世界第二大集成電路市場(chǎng)，總需求量約為500億美元。目前國(guó)內(nèi)使用高純六氟化硫作為蝕刻氣的生產(chǎn)線約有50條左右預(yù)計(jì)。2016年將達(dá)到700噸左右，

 國(guó)內(nèi)使用六氟化硫作為蝕刻氣的生產(chǎn)線有近50條，在未來的五年預(yù)計(jì)將有20條至30條新線建成。催化氧化法金屬氧化物為催化劑，于300℃下，用空氣氧化四氟hua硫，該法缺點(diǎn)是收率過低。每年約消耗高純六氟化硫?yàn)?00噸左右。而國(guó)內(nèi)高純六氟化硫產(chǎn)品遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場(chǎng)需求，半導(dǎo)體廠家所用高純產(chǎn)品大部分依賴進(jìn)口，這給高純六氟化企業(yè)提供更多的發(fā)展機(jī)遇。