KOAN 壓控晶振系列編號封裝尺寸解讀（CMOS 輸出）

? KV08/14：KV-KOAN*VCXO，DIP8/DIP14 直插（4p）CMOS 輸出，5V（4-50Mhz）

? KV32/50：KV-KOAN*VCXO，SMD3225/5032（4p/6p）CMOS 輸出，1.8V-3.3V（4-50Mhz/16-50Mhz@1.8V）

? KV32T：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV50T：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV508T：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖動）T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

? KV70：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）CMOS 輸出，3.3V（4-50Mhz）

? KV70T：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）T-高頻（低抖動）CMOS輸出，2.5V/3.3V（50-250Mhz）

? KV708T：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖動，T-CMOS1.8V/2.5V/3.3V（15-250Mhz）

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KOAN 壓控晶振舉例介紹

VCXO 是將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量。說明：基準(zhǔn)電壓為＋2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為＋0.5V 和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋0.5V 頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-2ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為 2.1ppm，則 VCXO 電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率為正，線性為 2.4%。

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KOAN 壓控晶振的主要制造工藝流程之晶片切割

KOAN 晶振中重要的組成部分為水晶振子，晶片的切割可分為AT-CUT，BT-CUT， CT-CUT，DT-CUT，F(xiàn)T-CUT， XT-CUT，YT-CUT，每種切法對應(yīng)一個(gè)角度.采用何種切法應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定，如對溫度特性要求較好則應(yīng)采用 AT-CUT，KOAN 壓控振蕩器采用 AT-CUT 晶片。晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等決定了晶振的頻率。

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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件

相位條件：ωL=1/ωcl（ω 晶體頻率， L 晶體有效電感，CL 晶體負(fù)載電容），調(diào)整負(fù)載電容可以調(diào)整頻率高低，實(shí)現(xiàn)頻率精準(zhǔn)度高；振幅條件：│Rˉ│≥R（設(shè)計(jì)電路要考慮負(fù)性阻抗值 Rˉ的相對值，在起動時(shí)要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍，正常振蕩時(shí)│Rˉ│=R）。